- 专利标题: 基于双曲余切变换法的永磁电机转子偏心磁场计算方法
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申请号: CN202010349414.0申请日: 2020-04-28
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公开(公告)号: CN113569370B公开(公告)日: 2023-09-22
- 发明人: 刘蓉晖 , 孙改平 , 米阳 , 唐静 , 李阳 , 赵增凯 , 马天天 , 陈腾 , 韦江川
- 申请人: 上海电力大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区平凉路2103号
- 专利权人: 上海电力大学
- 当前专利权人: 上海电力大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区平凉路2103号
- 代理机构: 上海德昭知识产权代理有限公司
- 代理商 郁旦蓉
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06F111/10
摘要:
本发明提供了一种基于双曲余切变换法的永磁电机转子偏心磁场计算方法,包括以下步骤:步骤1,通过双曲余切变换将x‑y坐标系下的z平面的偏心气隙区域变换到u‑v坐标系下的w平面中,得到代表等位线和磁力线的两组正交偏心圆簇,并在代表等位线的偏心圆簇中选择两个与永磁电机的定子和转子对应重合的圆,在w平面求得磁位差为1时的偏心气隙区域的径向磁通密度;步骤2,计算定子和转子同心时均匀气隙区域的径向磁通密度,并通过偏心气隙区域的径向磁通密度与均匀气隙区域的径向磁通密度计算得到径向比磁导函数;步骤3,计算定子和转子同心时的均匀气隙磁场;步骤4,通过径向比磁导函数对均匀气隙磁场进行修正,得到永磁电机转子偏心时的气隙磁场。
公开/授权文献
- CN113569370A 基于双曲余切变换法的永磁电机转子偏心磁场计算方法 公开/授权日:2021-10-29