发光二极管结构
摘要:
本发明涉及半导体材料领域,公开了一种发光二极管结构,其中p型半导体层为含铝氮化物层的厚度占其整体厚度95%以上的多层结构,多层结构从下至上至少包括第一至第六子层;第三子层中的铝浓度≥第一子层>第二子层>第四子层>第六子层;第一子层的厚度<第六子层<第五子层<第二子层≤第三子层<第四子层;第四子层为厚度为50Å~800Å的高温P型Alz4Inx4Gay4N,其中,0≤x4
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