- 专利标题: 一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法
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申请号: CN202110790401.1申请日: 2021-07-13
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公开(公告)号: CN113725076A公开(公告)日: 2021-11-30
- 发明人: 任泽阳 , 张金风 , 李佳颖 , 谷露云 , 丁森川 , 苏凯 , 何琦 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
- 专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: H01L21/28
- IPC分类号: H01L21/28 ; H01L21/04
摘要:
本发明提供的一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法,采用超薄高功函数介质层在氢终端金刚石表面形成超高浓度的空穴层,然后淀积一层金属,利用隧穿原理形成欧姆接触,极大降低欧姆接触电阻。本发明可以兼容现有工艺,操作简单成本低,不需要额外工艺设备,应用前景良好。
公开/授权文献
- CN113725076B 一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法 公开/授权日:2024-06-25
IPC分类: