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公开(公告)号：CN117673138A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311697067.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN113725075B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110789451.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/45 , C23C16/22 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供的一种金刚石混合终端表面电导的制备方法，利用C‑Si代替氢终端金刚石表面空气吸附层，采用原位刻蚀硅的方法作为Si的来源，在金刚石表面形成混合终端，制备C‑H/C‑Si混合终端金刚石，本发明操作简单，成本低廉，不需要复杂的工艺设备及步骤，就可以解决C‑H表面金刚石电导不稳定的问题，提高金刚石表面电导特性。
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公开(公告)号：CN115548115A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211184007.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于氮掺杂石墨化的碳化硅上氮化物异质结及其制备方法，涉及半导体技术领域，该异质结包括从下至上依次设置的单晶碳化硅衬底、石墨烯缓冲层、氮化铝成核层、氮化镓氮化铝超晶格沟道层、氮化铝插入层、掺磷氮化铝势垒层以及氮化镓帽层，本发明对碳化硅上外延的石墨烯进行氮掺杂处理后直接生长氮化铝和氮化镓，大大提高了材料成核密度，并减少了材料缺陷密度，从而实现了沟道层二维电子气高迁移率的目的，此优势可用于制作高性能HEMT器件。
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公开(公告)号：CN115232615A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210720391.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法，包括：选取一定晶向的外延衬底；对衬底进行有机清洗；对清洗过后的衬底进行超声播种处理；对经过超声播种处理的衬底进行预处理；在衬底上生长微晶金刚石，并通过调整生长环境中氮气和氧气的比例调控晶粒取向，以形成具有特定晶向的微晶金刚石晶粒，从而实现硅空位色心发光强度的调控。本发明提供的制备方法不需要引入其他杂质气源，即可实现低成本、可控性强的金刚石中硅空位，避免了连续金刚石膜阻挡刻蚀硅的问题，无需后处理工艺，具有生长周期短、生长工艺简单、成本低、安全环保且生长稳定可控的优点。
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公开(公告)号：CN113594342B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110546574.9
申请日：2021-05-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114525582A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210011087.7
申请日：2022-01-05
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、在衬底上制备金刚石成核层；S2、在金刚石成核层上外延生长晶面取向均一、且表面凹凸不平的多晶金刚石层；S3、在多晶金刚石层的凹凸不平的表面上外延生长金属铱；S4、对金属铱进行表面抛光处理，以露出多晶金刚石层与金属铱交错分布的平面，形成复合衬底；S5、在复合衬底上生长单晶金刚石。该制备方法在晶面取向均一的多晶金刚石表面即可形核，避免传统单晶金刚石异质外延过程中形核阶段对衬底直流偏压的需要，且所形成的单晶金刚石晶体取向均一，质量较高，从而实现了与现有设备的兼容，降低了工艺复杂度，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN113871454A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111142317.5
申请日：2021-09-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅边缘终端的氧化镓肖特基势垒二极管，主要解决现有n型氧化镓肖特基势垒二极管击穿电压低、泄漏电流大的问题。其自下而上包括：阴极电极、n‑Ga2O3高掺衬底、n‑Ga2O3外延层、边缘终端和阳极电极。其中边缘终端采用SiO2。使该边缘终端拥有场板的作用。在其制作过程中，只用到ICP刻蚀工艺及ICPCVD低温淀积SiO2工艺，有效降低了边缘终端的工艺难度以及工艺成本，在刻蚀后直接采用用ICPCVD低温淀积SiO2薄膜的自对准工艺，使得SiO2边缘与Ga2O3外延层的边缘完美契合，没有套刻误差。本发明提高了器件的击穿电压，减小了泄漏电流，可用于制备高耐压、低功耗的氧化镓器件。
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公开(公告)号：CN113764554A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110815527.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
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公开(公告)号：CN112713189A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN111584626A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P-型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P-型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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