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公开(公告)号：CN118231479A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410250075.9
申请日：2024-03-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/08
摘要： 本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基极，每个发射区上设置一发射极，相邻两个发射区之间的第一基区上设置一基极，其中，所有发射极与所有基极短接；第二电极，设置在SiC衬底层的下表面。本发明的器件可以有效地降低正偏P/N结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积，大幅提高了器件的钳位响应速度，使得响应时间达到纳秒级。
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公开(公告)号：CN113489491B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110785744.9
申请日：2021-07-12
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种用于动态比较器的自适应校准电路，自适应校准电路包括速度自适应电路和失调校准电路，速度自适应电路用于对比较器因温度T和工艺P引起的转化速度变化的校准，而失调校准电路用于比较器因晶体管失配产生的失调电压的校准。本发明在比较器上挂载两个额外的电路后，能够有效降低失调电压，并增大比较速度的PT容忍度。
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公开(公告)号：CN118064832A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410221326.0
申请日：2024-02-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓薄膜进行真空原位退火。本发明通过在预溅射后的衬底施加偏置电压，并生长氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的稳定性、质量和结晶度，使得氧化镓薄膜晶粒择优取向生长，降低了氧化镓薄膜的制备成本。
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公开(公告)号：CN114530375B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210141267.7
申请日：2022-02-16
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种基于硅衬底的新型非平面沟道氮化镓HEMT的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅极以及钝化层。本发明提供的非平面沟道氮化镓HEMT不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氮化镓HEMT的导通电阻。
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公开(公告)号：CN117832318A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311810472.9
申请日：2023-12-25
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/118 , H01L31/0352
摘要： 本发明提供了一种内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器，在探测器工作电压不变的情况下，通过在器件灵敏区内设置一层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的半超级结，若干层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的浮动结，使灵敏区体内电场均匀化，提升探测器内部场强，提升探测器的探测效率。内置梯形半超级结可以有效的提升探测器灵敏区深度，使得探测器的探测效率变高；内置梯形浮动结以及梯形半超级结可以降低探测器器件表面电场峰值，从而降低器件表面漏电，减小探测器的本征噪声；将半超级结及浮动结样貌设置为梯形可以加快浮动结、半超级结的耗尽速率，减小梯形浮动结中性区对辐生载流子收集的负面影响，实现低压下辐生载流子的全收集，从而提升探测器的探测效率。
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公开(公告)号：CN117832294A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410010567.0
申请日：2024-01-03
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法，通过在背反衬底1上设置减反型沟道4、漏极注入区6和源极注入区7；漏极注入区6设置在减反型沟道4的一端，源极注入区7设置在减反型沟道4的另一端；在所述背反衬底1上紧邻漏极注入区6的部分以及漏极注入区6上的部分均设置有漏电极3；在背反衬底1上紧邻源极注入区7的部分以及在源极注入区7上的部分均设置有源电极2；减反型沟道4包裹有栅电极5。减反型沟道4包括内外两层，内层为n型β‑Ga2O3层，外层为HfO2栅氧介质层；减反型沟道4包裹有栅电极5；漏电极3和漏极注入区6呈金属层叠结构，源电极2和源极注入区7呈金属层叠结构。本发明的沟道刻蚀为减反结构，可以有效减少光损失。
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公开(公告)号：CN117792400A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311688068.9
申请日：2023-12-07
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明公开了一种采用多位SAR量化的高精度Sigma Delta ADC，包括：环路滤波器用于利用若干积分器将模拟输入信号进行离散积分处理；4Bit SAR量化器用于对经放大系数处理后的所有离散积分结果进行量化处理得到4Bit数字码；改进型的4Bit DAC用于利用IDWA电路对4Bit数字码进行一阶噪声整形并消除高阶谐波，再将处理后的4Bit数字码进行数模转换得到模拟输出信号；环路滤波器还用于对模拟输出信号和模拟输入信号进行求差处理，在环路滤波器中将求差结果作为新的模拟输入信号，利用若干积分器将新的模拟输入信号进行离散积分处理。本发明可以应用于高集成度高可靠性要求的雷达芯片中。
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公开(公告)号：CN117766567A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410084890.2
申请日：2024-01-19
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种可控型二极管雪崩整型器及其制备方法，雪崩整型器包括：衬底层、N‑外延层、P+外延层、N+区、阴极、第一阳极、第二阳极和氧化层，其中，N+区由P+外延层的部分上表面延伸至P+外延层的内部；第一阳极位于P+外延层上；第二阳极位于N+区上；氧化层位于P+外延层和N+区交界处的上表面，且两端分别与第一阳极、第二阳极接触。通过第二阳极在N+区施加电压，大量电子在衬底层和N+区电势差的作用下，进入P+外延层和N‑外延层之间的P+/N‑结或耗尽层中，为器件发生延迟雪崩提供初始载流子，使得器件发生延迟雪崩，实现器件的可控效果，拓宽了器件的应用场景，提高了器件的性能发挥程度。
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公开(公告)号：CN117712170A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705188.5
申请日：2023-12-12
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/24
摘要： 本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN114995092B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210681993.8
申请日：2022-06-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明公开了一种时间数字转换电路，包括：计数器单元，用于对定时信号进行脉冲计数，并输出定时信号之间的残差信息和第一计数器值；第一时间测量单元，包括第一延迟锁相环电路、同步电路和异步电路，同步电路用于基于第一延迟锁相环电路输出的相位信号对残差信息进行信号重定时，并输出同步信号和第二计数器值；异步电路用于将残差信息经一延迟链直接输出，得到异步信号；第二时间测量单元，用于对同步信号和异步信号进行插值定时，并输出同步信号和异步信号之间的第三计数器值；译码器，用于基于第一计数器值、第二计数器值和第三计数器值得到定时信号之间的时间差。本发明中的电路，能够能够得到更高分辨率的测时数据。
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