公开(公告)号：CN110190135B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201910458071.9

申请日：2019-05-29

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 宋庆文 ,  张玉明 ,  汤晓燕 ,  袁昊 ,  吴勇 ,  何艳静 ,  韩超 ,  刘钰康

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种浮结型肖特基二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结区3，位于所述外延层2中间的矩形槽内；绝缘型多晶硅层4，位于所述浮结区3上层；沟槽5，位于所述绝缘型多晶硅层4上层；肖特基接触的阴极6，位于所述衬底层1下层；肖特基接触的阳极7，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层4和所述沟槽5。本发明提出的二极管，通过改善了浮结型肖特基二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，同时，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。

公开(公告)号：CN118156131A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410395269.8

申请日：2024-04-02

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  郭昂 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  黄永 ,  常焕堉 ,  李永军

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

摘要： 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。

公开(公告)号：CN118136661A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410241940.3

申请日：2024-03-04

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 黄永 ,  何祺伟 ,  张雅超 ,  龚子刚 ,  董栩婷 ,  陈财 ,  邵语嫣

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201

摘要： 本发明涉及一种氮极性GaAsN/AlPN异质结的HEMT器件及其生长方法，HEMT器件包括：衬底层、成核层、缓冲层、AlPN背势垒层、插入层、GaAsN沟道层、帽层、绝缘栅介质层、源电极、漏电极和栅电极，衬底层1、成核层2、缓冲层3、AlPN背势垒层4、插入层5、GaAsN沟道层6依次层叠；源电极9位于GaAsN沟道层6的一端，漏电极10位于GaAsN沟道层6的另一端；帽层7位于源电极9和漏电极10之间的GaAsN沟道层6表面；绝缘栅介质层8位于帽层7的表面；栅电极11位于绝缘栅介质层8的表面；成核层2、缓冲层3、AlPN背势垒层4、插入层5、GaAsN沟道层6、帽层7的极性均为氮极性。该器件解决了目前高Al组分AlGaN/GaN异质结HEMT中由于结晶质量下降导致二维电子气面密度和迁移率下降的问题。

公开(公告)号：CN118098965A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410163793.2

申请日：2024-02-05

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 龚建彪 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  黎伟正 ,  张子涵

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3：对F离子注入层进行刻蚀，当刻蚀到F离子注入层和势垒层的界面处时，F离子和Al离子在势垒层的表面形成AlF3保护层；S4：去除AlF3保护层以露出势垒层；本发明通过形成F离子注入层，刻蚀过程中，势垒层表面形成AlF3保护层，从而实现自终止效果，避免刻蚀对沟道中的二维电子气造成损伤，降低因刻蚀所带来的表面态和缺陷，有效减小器件的栅极泄漏电流，提升器件的整体性能。

公开(公告)号：CN118073411A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410216094.X

申请日：2024-02-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  郭昂 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  黄永 ,  常焕堉 ,  李永军

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417

摘要： 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN118033614A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410110022.7

申请日：2024-01-25

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王文林 ,  吴勇 ,  王东

IPC分类号： G01S7/539 ,  G01S15/08 ,  G06F18/22

摘要： 本发明公开了一种车载超声波车载雷达的定位算法及其硬件加速的方法及系统，涉及数据处理技术领域，解决了现有技术中面对多个障碍物的情况无法处理，计算结果不正确的问题；该方法包括：分别确定多个车载雷达对应的多个障碍物，计算每个车载雷达与对应多个障碍物之间的距离，得到与每个车载雷达的对应的多个障碍物距离；分别将多个车载雷达作为主车载雷达，其余车载雷达作为次车载雷达，确定每一个车载雷达的探测区域内障碍物的可匹配区域；利用可匹配区域，得到可匹配回波信号集，并进行验证匹配，得到处理后的回波信号集；利用单障碍物定位算法和处理后的回波信号集对障碍物进行定位；实现了较为精准地匹配障碍物回波信息，提高定位精度。

公开(公告)号：CN117966265A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410079257.4

申请日：2024-01-19

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 崔福彬

IPC分类号： C30B28/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/64 ,  C30B29/02 ,  C30B23/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/26

摘要： 本发明公开了一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法。铜镍衬底上制得的氮化硼为多层氮化硼薄膜，且氮化硼取向高度一致，同向率最高达到87.79％，并且认为通过此方法可以进一步制得完全取向一致的多层单晶氮化硼薄膜。制备六方氮化硼薄膜的过程中制备制备温度相比于其他在铜/镍衬底上制备氮化硼的报道，具有更低的制备温度，从而使得整个制备过程所需要的加热能量更少，提高了整体薄膜在制备过程中的节能环保性，同时本发明中在衬底表面制备横向较薄的六方氮化硼薄膜；本发明的制备条件简单、成本低廉、对环境友好、生长参数的窗口较宽，从而提高了整个制备过程中的操作便捷性，提高了产品的质量。

公开(公告)号：CN117832305A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410034665.8

申请日：2024-01-09

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 韩超 ,  武岩松 ,  钱驰文 ,  郭永征 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/102

摘要： 本发明涉及内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器包括：衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极；将第一欧姆接触电极、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型外延层、衬底层和第二欧姆接触电极自上而下排列，多个梯形浮动结为通过离子注入进行掺杂的方式形成于第一掺杂类型外延层内部的梯形结构，且多个梯形浮动结的掺杂类型与第一掺杂类型外延层的掺杂类型不同；多个梯形浮动结两两之间的间距为2μm～10μm，并且多个梯形浮动结各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°～90°。上述结构的碳化硅辐照探测器利用多个梯形浮动结使得其内部电场均匀化，并降低浮动结全耗尽所需工作电压，提升整体载流子收集效率，提高电荷收集效率以及探测效率。

公开(公告)号：CN117832303A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410010566.6

申请日：2024-01-03

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 杜丰羽 ,  韩超 ,  宋庆文 ,  袁昊 ,  汤晓燕 ,  周瑜 ,  张玉明

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法，所述氧化镓日盲光电探测器包括：第一阱区、第二阱区、栅氧介质层、第一源电极、第二源电极、栅电极、第一紫外感光层、第二紫外感光层、第一漏电极、第二漏电极、纳米减反陷光增透结构及背反设层，第一阱区是将硅离子注入氧化镓基底得到的，第二阱区是将镁离子注入氧化镓基底得到的。根据本发明提供的氧化镓光电探测器，由于镁具有较低的形成能和相对较浅的施主能级，更容易形成p型氧化镓，通过将镁离子作为p掺杂材料注入氧化镓基底，形成氧化镓光电探测器，能够使得得到的光电探测器拥有类似p掺杂材料的效果，实现光电探测器的功能。

公开(公告)号：CN117690965A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311870666.8

申请日：2023-12-29

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 韩超 ,  袁洋洋 ,  贾仁需

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种JFET区具有阻挡层的MOSFET及其制备方法，MOSFET包括：衬底层、漂移层、P型基区、P+体区、N+源区、沟道区、侧翼阻挡层和中间阻挡层，其中，侧翼阻挡层位于中间阻挡层的两侧，由漂移层的上表面延伸至漂移层的内部，且侧翼阻挡层的一侧与沟道区接触；侧翼阻挡层的厚度小于中间阻挡层的厚度，掺杂浓度大于中间阻挡层的掺杂浓度。本发明的器件进入短路状态时，PN结产生的耗尽层主要向中间阻挡层的位置扩展，中间阻挡层可以减缓器件的温度积累，提升器件的短路耐受时间，侧翼阻挡层使得器件能够保持较低的导通电阻，本发明提供的MOSFET同时具有良好的导通特性和短路耐受能力。