发明公开
- 专利标题： 半导体器件、集成电路产品以及制造方法
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申请号： CN202111330860.8申请日： 2021-11-11
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公开(公告)号： CN113782528A公开(公告)日： 2021-12-10
- 发明人: 赵东艳 , 成睿琦 , 赵扬 , 陈燕宁 , 董广智 , 王立城 , 付振 , 王树龙 , 罗宗兰
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ; ; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学,国网江苏省电力有限公司常州供电分公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,西安电子科技大学,国网江苏省电力有限公司常州供电分公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ; ; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 陈潇潇; 何智超
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L27/092 ; H01L23/552 ; H01L21/8238
摘要：
本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
公开/授权文献
- CN113782528B 半导体器件、集成电路产品以及制造方法 公开/授权日：2022-02-08
IPC分类:
