Invention Grant
- Patent Title: 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法
-
Application No.: CN202111453598.6Application Date: 2021-12-01
-
Publication No.: CN113866690BPublication Date: 2022-10-11
- Inventor: 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 邵瑾 , 付振 , 王帅鹏 , 朱大鹏 , 周敏 , 周芝梅 , 王立城 , 赵巍胜 , 曲俊达 , 夏清涛 , 关心
- Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
- Applicant Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- Current Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- Current Assignee Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- Agency: 北京润平知识产权代理有限公司
- Agent 陈潇潇
- Main IPC: G01R33/09
- IPC: G01R33/09 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/12
Abstract:
本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
Public/Granted literature
- CN113866690A 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法 Public/Granted day:2021-12-31
Information query
