公开(公告)号：CN113866690B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202111453598.6

申请日：2021-12-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学青岛研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  朱大鹏 ,  周敏 ,  周芝梅 ,  王立城 ,  赵巍胜 ,  曲俊达 ,  夏清涛 ,  关心

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。

公开(公告)号：CN113866690A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111453598.6

申请日：2021-12-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学青岛研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  朱大鹏 ,  周敏 ,  周芝梅 ,  王立城 ,  赵巍胜 ,  曲俊达 ,  夏清涛 ,  关心

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。