- 专利标题： 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法
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申请号： CN202111453598.6申请日： 2021-12-01
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公开(公告)号： CN113866690B公开(公告)日： 2022-10-11
- 发明人: 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 邵瑾 , 付振 , 王帅鹏 , 朱大鹏 , 周敏 , 周芝梅 , 王立城 , 赵巍胜 , 曲俊达 , 夏清涛 , 关心
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ; ;
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 陈潇潇
- 主分类号： G01R33/09
- IPC分类号： G01R33/09 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
公开/授权文献
- CN113866690A 三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法 公开/授权日：2021-12-31
