本发明涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料的结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；通过分子术外延法制备得到。通过对结构和材料组分进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，同时调整Sb组分，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。