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公开(公告)号：CN116154029A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211468520.6
申请日：2022-11-22
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0304
摘要： 本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所述方法为分子术外延法，在真空度10‑10Torr量级以上的分子束外延设备中进行。本发明通过采用pBiBn结构并对其中的材料进行设计，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料结构，具有3～4.2μm波长，操作性强，还以借鉴成熟InSb和InGaAs等器件工艺，为后续制备出高性能近室温3～4.2μm响应波长InAsSb器件创造很好的条件。
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公开(公告)号：CN105355793B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510748182.5
申请日：2015-11-06
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L51/46
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器，在衬底上设置各功能层构成，包括衬底（1），金属或透明导电极（3）、空穴传输层（4）以及有机光敏层（2）等，其特征在于所说的光敏层（2）材料是进行碘的受主掺杂之后对近红外有光电响应的太阳能电池的OPV材料。这种光敏材料是一种典型的太阳能电池常用的OPV材料，为实现对近红外波段的响应，进行了有效的碘的受主掺杂。本发明具有易于实现大面积、大阵列，光敏层材料电阻可控，无需制冷，可实现柔性加工等优势特点，在军事、民用以及一些特定领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN105355793A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510748182.5
申请日：2015-11-06
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L51/46
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/004
摘要： 本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器，在衬底上设置各功能层构成，包括衬底（1），金属或透明导电极（3）、空穴传输层（4）以及有机光敏层（2）等，其特征在于所说的光敏层（2）材料是进行碘的受主掺杂之后对近红外有光电响应的太阳能电池的OPV材料。这种光敏材料是一种典型的太阳能电池常用的OPV材料，为实现对近红外波段的响应，进行了有效的碘的受主掺杂。本发明具有易于实现大面积、大阵列，光敏层材料电阻可控，无需制冷，可实现柔性加工等优势特点，在军事、民用以及一些特定领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN114093976A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111350766.9
申请日：2021-11-15
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料的结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；通过分子术外延法制备得到。通过对结构和材料组分进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，同时调整Sb组分，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112382690A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011060701.6
申请日：2020-09-30
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；势垒层材料为掺杂5×1015～1×1016cm‑3Be的p型复合层，在吸收层上先生长AlAs0.08Sb0.92层，后生长AlSb层，之后两层交替生长形成的复合层，AlAs0.08Sb0.92层和AlSb层的厚度分别独立为1～10nm，AlAs0.08Sb0.92层与吸收层接触；势垒层厚度为100～200nm。势垒层能消除InAsSb与势垒能带结构中的价带偏移和晶格失配，改善红外探测器光生载流子的传输特性及电学性能。
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公开(公告)号：CN2849678Y
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200520099927.1
申请日：2005-11-10
申请人： 昆明物理研究所
摘要： 一种用于快速响应热释电红外探测器自适应数字降噪的装置，该装置主探测器和参考探测器安装在随机振动台上，主探测器和参考探测器的输出端接运算放大电路的输入端，主探测器的输出端还接示波器的1通道，运算放大电路的输出端接模数转换电路的输入端，模数转换电路的输出端接自适应降噪电路的输入端，自适应降噪电路的串行输出接口接计算机的串口；自适应降噪电路的数字输出端口接数模转换电路的输入端，数模转换电路的输出端接示波器的2通道：本实用新型提供的装置，采用自适应数字降噪，在不降低探测器响应时间的基础上增强了对振动噪声的抑制，大大提高了快速响应热释电探测器对战场环境的适应能力。
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公开(公告)号：CN216980589U
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202122792477.6
申请日：2021-11-15
申请人： 昆明物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本实用新型涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底。通过对结构进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN202281652U
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201120420309.8
申请日：2011-10-29
申请人： 昆明物理研究所
摘要： 耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器，其特征在于在热释电晶片的下表面上制备一层全反射电极，在全反射电极的下表面上制备一层绝热层，绝热层的下表面与衬底用粘接胶粘接；在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层，从红外吸收层引出金丝引线；在热释电晶片的上表面、红外吸收层的周围制备一层引出电极，引出电极与红外吸收层之间不相连接，引出电极引出金丝引线。本实用新型的下电极通过电容耦合的方式从热释电晶片的背面转换至正面，实现了电极结构的平面化，降低了工艺难度，提高了成品率；绝热层减小了热释电晶片与衬底之间的热传导，提高了探测器的灵敏度；红外吸收层增加了探测器的红外吸收率，提高了探测器的红外探测率。
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