发明公开
- 专利标题: 基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法
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申请号: CN202110792371.8申请日: 2021-07-13
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公开(公告)号: CN114107958A公开(公告)日: 2022-03-01
- 发明人: 朴坰 , 权玹范 , 李大成
- 申请人: 圆益IPS股份有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75
- 专利权人: 圆益IPS股份有限公司
- 当前专利权人: 圆益IPS股份有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75
- 代理机构: 北京青松知识产权代理事务所
- 代理商 郑青松
- 优先权: 10-2020-0107575 20200826 KR
- 主分类号: C23C16/52
- IPC分类号: C23C16/52 ; C23C16/455 ; C23C14/54 ; C23C16/06 ; C23C16/34 ; C23C14/14 ; C23C14/06 ; H01L21/67
摘要:
本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法,基板处理装置包括:腔室,形成用于处理基板的处理空间;基板支撑部,设置在腔室,以支撑基板;气体喷射部,设置在基板支撑部上部,以喷射用于执行工艺的气体;排气部,排放处理空间的气体,并且包括用于控制压力的阀门;加热器,设置在腔室的外侧;基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤,其中,变压步骤包括:增压步骤,向处理空间注入工艺气体,将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力;降压步骤,将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力;其中,降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量,第三压力为常压。
IPC分类: