基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法
摘要:
本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法,基板处理装置包括:腔室,形成用于处理基板的处理空间;基板支撑部,设置在腔室,以支撑基板;气体喷射部,设置在基板支撑部上部,以喷射用于执行工艺的气体;排气部,排放处理空间的气体,并且包括用于控制压力的阀门;加热器,设置在腔室的外侧;基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤,其中,变压步骤包括:增压步骤,向处理空间注入工艺气体,将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力;降压步骤,将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力;其中,降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量,第三压力为常压。
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