公开(公告)号：CN114496722A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110935566.3

申请日：2021-08-16

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 李大成 ,  权玹范 ,  朴坰

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种基板处理方法，更详细地说，涉及改善在基板形成的薄膜的物理性质的基板处理方法。本发明的基板处理方法的一实施例包括：将基板运进第一腔室内的步骤；第一增压步骤，提高所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到高于常压的第一高压；第一降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于所述第一高压且在常压以上的第二高压；第一增降压反复执行步骤，将所述第一增压步骤及所述第一降压步骤反复执行预定次数；及第二降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于常压的第一低压。

公开(公告)号：CN114107958A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110792371.8

申请日：2021-07-13

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 朴坰 ,  权玹范 ,  李大成

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C14/54 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置包括：腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，设置在腔室，以支撑基板；气体喷射部，设置在基板支撑部上部，以喷射用于执行工艺的气体；排气部，排放处理空间的气体，并且包括用于控制压力的阀门；加热器，设置在腔室的外侧；基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤，其中，变压步骤包括：增压步骤，向处理空间注入工艺气体，将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力；降压步骤，将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力；其中，降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量，第三压力为常压。