公开(公告)号：CN115595549A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202111541188.7

申请日：2021-12-16

申请人： 圆益IPS股份有限公司(KR)

发明人： 黄雅英 ,  张源准 ,  金周燮 ,  朴坰 ,  金镇瑞 ,  安元植 ,  李大成 ,  金昶熏

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及腔室内部处理方法及基板处理方法，更详细地说，涉及对腔室及腔室内部结构执行处理的腔室内部处理方法及基板处理方法。本发明公开了一种腔室内部处理方法，处理执行基板处理的腔室内部，其特征在于，包括：增压步骤(S100)，利用增压气体将所述腔室内的压力上升至大于大气压的第一压力(P1)；降压步骤(S200)，在所述增压步骤(S100)之后将所述腔室内的压力从所述第一压力(P1)降低至第二压力(P2)；其中，所述增压步骤(S100)及所述降压步骤(S200)在所述腔室内部清除处理对象基板的状态下执行。

公开(公告)号：CN114496722A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110935566.3

申请日：2021-08-16

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 李大成 ,  权玹范 ,  朴坰

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种基板处理方法，更详细地说，涉及改善在基板形成的薄膜的物理性质的基板处理方法。本发明的基板处理方法的一实施例包括：将基板运进第一腔室内的步骤；第一增压步骤，提高所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到高于常压的第一高压；第一降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于所述第一高压且在常压以上的第二高压；第一增降压反复执行步骤，将所述第一增压步骤及所述第一降压步骤反复执行预定次数；及第二降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于常压的第一低压。

公开(公告)号：CN115206829A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111541201.9

申请日：2021-12-16

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 黄雅英 ,  张源准 ,  金周燮 ,  朴坰 ,  南尚录 ,  安海桭 ,  李大成 ,  金昶熏

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及基板处理方法，更详细地说，涉及在处理基板时通过调节腔室内部的温度可防止薄膜特性降低的基板处理方法。本发明公开了一种基板处理方法，包括：增压步骤，将工艺压力从第一压力P1上升至大于大气压的第二压力P2；降压步骤，将工艺压力从大于大气压的第六压力P6降低至第七压力P7；退火步骤，在高于常温的第二温度T2的温度环境下在所述增压步骤及所述降压步骤之间以提前设定的压力变化模式改变工艺压力；其中，在所述增压步骤执行中或者所述增压步骤执行之后执行升温步骤，所述升温步骤是从提前设定的升温时间点t1至提前设定的升温终点t2将温度环境从第一温度T1升温至所述第二温度T2。

公开(公告)号：CN114107958A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110792371.8

申请日：2021-07-13

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 朴坰 ,  权玹范 ,  李大成

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C14/54 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种利用基板处理装置的基板处理方法，基板处理装置包括：腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，设置在腔室，以支撑基板；气体喷射部，设置在基板支撑部上部，以喷射用于执行工艺的气体；排气部，排放处理空间的气体，并且包括用于控制压力的阀门；加热器，设置在腔室的外侧；基板处理方法包括反复一次以上的变压步骤，其中，变压步骤包括：增压步骤，向处理空间注入工艺气体，将腔室的内部压力从第一压力增压至高于常压的第二压力；降压步骤，将腔室的内部压力从第二压力降压至第三压力；其中，降压步骤中的工艺气体供应量小于增压步骤的工艺气体供应量，第三压力为常压。