发明授权
- 专利标题: 一体式平面化三轴磁传感器及其应用方法
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申请号: CN202111371670.0申请日: 2021-11-18
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公开(公告)号: CN114114102B公开(公告)日: 2024-01-23
- 发明人: 李裴森 , 潘孟春 , 杨澜 , 彭俊平 , 胡佳飞 , 邱伟成 , 孙琨 , 黄丹 , 陶骏 , 陈棣湘 , 杜青法 , 唐莺
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 谭武艺
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09
摘要:
本发明公开了一种一体式平面化三轴磁传感器及其应用方法,传感器包括分别设于承载部件上且位于同一平面内的四个磁测量复合器件,所述磁测量复合器件包括磁变轨单元、环形超导磁通聚集器和磁电阻测量单元,所述环形超导磁通聚集器夹持布置于磁变轨单元中,所述环形超导磁通聚集器上带有窄区,所述磁电阻测量单元布置于窄区的一侧,所述四个磁测量复合器件中一对磁测量复合器件的磁变轨单元与另一对磁测量复合器件的磁变轨单元相互垂直布置,一对磁测量复合器件的磁变轨单元之间相互平行布置。本发明能够实现三轴磁场的聚集放大和平面化高精度测量,且可以有效提高三轴正交性,具
公开/授权文献
- CN114114102A 一体式平面化三轴磁传感器及其应用方法 公开/授权日:2022-03-01