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公开(公告)号：CN114114102B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111371670.0
申请日：2021-11-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种一体式平面化三轴磁传感器及其应用方法，传感器包括分别设于承载部件上且位于同一平面内的四个磁测量复合器件，所述磁测量复合器件包括磁变轨单元、环形超导磁通聚集器和磁电阻测量单元，所述环形超导磁通聚集器夹持布置于磁变轨单元中，所述环形超导磁通聚集器上带有窄区，所述磁电阻测量单元布置于窄区的一侧，所述四个磁测量复合器件中一对磁测量复合器件的磁变轨单元与另一对磁测量复合器件的磁变轨单元相互垂直布置，一对磁测量复合器件的磁变轨单元之间相互平行布置。本发明能够实现三轴磁场的聚集放大和平面化高精度测量，且可以有效提高三轴正交性，具
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公开(公告)号：CN114937736A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210492358.5
申请日：2022-05-07
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种宽量程TMR传感器隧道结及传感器，本发明的宽量程TMR传感器隧道结包括基底和设于基底上的三明治结构体，所述三明治结构体包括依次层叠布置的自由铁磁层、绝缘势垒层和钉扎层，所述自由铁磁层和钉扎层具有不同的矫顽力，所述三明治结构体中位于靠基底一侧的自由铁磁层具有垂直磁各向异性、位于远离基底一侧的钉扎层具有层叠平面内的磁各向异性；传感器的敏感桥臂采用了前述的宽量程TMR传感器隧道结，参考桥臂采用了水平隧道结磁电阻。本发明旨在解决TMR传感器量程较小难于测量大磁场的问题，且具有体积小、便于加工与集成的优点。
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公开(公告)号：CN111624533A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010456303.X
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明提供一种利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试系统，亥姆霍兹线圈、载物平台、磁性薄膜和TMR磁传感器，所述磁性薄膜位于TMR磁传感器上方，所述TMR磁传感器固定于载物平台上，所述载物平台两端分别设有用于提供外磁场的亥姆霍兹线圈且所述载物平台和亥姆霍兹线圈垂直设置，所述磁性薄膜与电压源连接，所述电压源用于对磁性薄膜提供加载电压，所述亥姆霍兹线圈、TMR磁传感器分别与电流源连接。本发明结构简单，测试成本低，且能对磁性薄膜进行交流和直流电场调控磁性测试。
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公开(公告)号：CN111624525A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010456328.X
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用磁性应力调控抑制磁噪声的一体化三轴磁传感器，包括绝缘基底、磁通电调控单元、变轨软磁块和至少四个磁测量单元；磁测量单元呈中心对称布置于绝缘基底的表面，磁通电调控单元以磁测量单元的对称中心点为中心放置在绝缘基底上，变轨软磁块以磁测量单元的对称中心点为中心放置在磁测量单元上。本发明具有高分辨力、高正交性、小体积、低功耗等优点。
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公开(公告)号：CN111621845A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010456025.8
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到(111)或(0001)取向的单晶薄膜。单晶薄膜为基于前述制备方法制备得到的单晶薄膜。本发明能够实现英寸级单晶薄膜的制备，制备得到的单晶薄膜在英寸级范围内具有原子级平整度、超高洁净度和单一晶化特征，能够为实现大面积石墨烯生长以及高性能石墨烯自旋电子器件研制提供技术基础。
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公开(公告)号：CN113686329B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110996145.1
申请日：2021-08-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01C21/08
摘要： 本发明公开一种基于地磁数据的垂直高度位场测量方法，步骤包括：S1.获取观测平面的地磁位场数据并进行频谱分析，得到观测平面的频谱；S2.根据观测平面的频谱确定截止频率，并根据截止频率构建自适应滤波算子；S3.以观测平面的频谱作为初值进行向下延拓的迭代更新，每次迭代时将当前延拓平面的频谱向上延拓到观测平面得到延拓值，根据观测平面的频谱与延拓值计算得到剩余谱，使用自适应滤波算子处理剩余谱并更新延拓平面的频谱；S4.将得到的延拓平面的频谱进行傅里叶反变换，得到空间域位场。本发明能够得到不同高度平面上的地磁场数据，且具有实现方法简单、效率及精度高且稳定性好数据等优点。
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公开(公告)号：CN116456809A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310262263.9
申请日：2023-03-16
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于自旋纳米振荡器的感算一体化硬件神经元，包括直流电流源，用于产生直流偏置电流；自旋纳米振荡器，用于在作为神经元输入的外磁场以及作为神经元权重的直流偏置电流的控制下产生不同频率及峰值的微波振荡电压以实现神经元权重与神经元输入的整合以及非线性激活功能；交直流信号分隔单元，用于将直流偏置电流注入自旋纳米振荡器，并将产生的交流信号导出。本发明利用自旋纳米振荡器在作为神经元输入的外磁场及作为神经元权重的直流偏置电流控制下产生不同频率及峰值的微波振荡电压以实现神经元权重与神经元输入的整合以及非线性激活功能，充分利用了自旋纳米振荡器的非线性特性，实现了感算一体的非线性神经元功能。
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公开(公告)号：CN116148725A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310205119.1
申请日：2023-03-06
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/035 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种磁电阻‑超导复合磁传感器的磁场调制装置及其应用方法，本发明的磁场调制装置包括绝缘基底和设于绝缘基底上的超导环，超导环上设有两个内孔，一个内孔将超导环分隔为第一超导区和第二超导区，另一个内孔将超导环分隔为第三超导区和第四超导区，第一超导区和第三超导区位于超导窄区的同一侧，第一超导区、第二超导区、第三超导区和第四超导区上均设有加热组件。本发明具有调制效率高、磁场分辨能力强，超导环可以使磁场无噪声放大千倍，加热部件加热形成的热调制效率高，针对磁电阻传感器的1/f噪声有较大抑制作用，有效提高弱磁测量能力。本发明可采用MEMS工艺制备，具有体积小，实现简单、一体化程度高的优点。
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公开(公告)号：CN111624530B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202010455870.3
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种氮化铝/硅/电可调磁性膜压电驱动结构，包括压电驱动层、硅结构层和电可调磁性膜，所述压电驱动层和电可调磁性膜分别位于硅结构层的上、下表面，所述压电驱动层自下而上依次设有包括底电极、氮化铝层和顶电极，当调控磁场时，在底电极和顶电极之间加载交流电压信号，氮化铝层中产生交流驱动电场并在应力轴方向产生周期性的应变，带动硅结构层产生周期性应变，应变传递至电可调磁性膜，电可调磁性膜的磁导率发生周期性变化，实现对磁场的调控，本发明具有驱动电压低、电滞小且磁场调控效率高的优点。
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公开(公告)号：CN115015815A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210490923.4
申请日：2022-05-07
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种基于超导/磁电阻复合结构的一体式三轴磁传感器及应用方法，本发明的一体式三轴磁传感器包括超导磁放大器以及用于将沿超导磁放大器的水平方向的磁场转向垂直方向的磁变轨单元，所述超导磁放大器上设有呈阵列式排布的四个孔洞，每一个孔洞均带有狭窄区域，所述四个孔洞的狭窄区域相对超导磁放大器的中心呈旋转对称，所述狭窄区域的一侧设有一个用于检测磁场的磁电阻敏感单元。本发明能够实现三分量磁场一体化高精度测量，且可有效提高三轴正交性，具有分辨力高、正交性高、体积小、实现简单的优点。
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