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公开(公告)号：CN114114102B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111371670.0
申请日：2021-11-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种一体式平面化三轴磁传感器及其应用方法，传感器包括分别设于承载部件上且位于同一平面内的四个磁测量复合器件，所述磁测量复合器件包括磁变轨单元、环形超导磁通聚集器和磁电阻测量单元，所述环形超导磁通聚集器夹持布置于磁变轨单元中，所述环形超导磁通聚集器上带有窄区，所述磁电阻测量单元布置于窄区的一侧，所述四个磁测量复合器件中一对磁测量复合器件的磁变轨单元与另一对磁测量复合器件的磁变轨单元相互垂直布置，一对磁测量复合器件的磁变轨单元之间相互平行布置。本发明能够实现三轴磁场的聚集放大和平面化高精度测量，且可以有效提高三轴正交性，具
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公开(公告)号：CN114937736A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210492358.5
申请日：2022-05-07
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种宽量程TMR传感器隧道结及传感器，本发明的宽量程TMR传感器隧道结包括基底和设于基底上的三明治结构体，所述三明治结构体包括依次层叠布置的自由铁磁层、绝缘势垒层和钉扎层，所述自由铁磁层和钉扎层具有不同的矫顽力，所述三明治结构体中位于靠基底一侧的自由铁磁层具有垂直磁各向异性、位于远离基底一侧的钉扎层具有层叠平面内的磁各向异性；传感器的敏感桥臂采用了前述的宽量程TMR传感器隧道结，参考桥臂采用了水平隧道结磁电阻。本发明旨在解决TMR传感器量程较小难于测量大磁场的问题，且具有体积小、便于加工与集成的优点。
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公开(公告)号：CN116148726A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310205121.9
申请日：2023-03-06
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/035 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展方法及测量装置，本发明包括获取超导‑磁电阻复合磁传感器的输出电压，每当输出电压为饱和输出电压Vr时，向超导‑磁电阻复合磁传感器生成大小为Br/2、与饱和磁场方向一致的补偿磁场，使超导‑磁电阻复合磁传感器在脉冲激励的脉冲上升沿进入饱和区、在脉冲激励的脉冲下降沿变化到线性区中间值位置，并根据最终的输出电压Vt且脉冲激励次数n以及Vx=n×Vr+Vt计算检测输出电压Vx。发明能够解决超导‑磁电阻复合磁传感器量程有限的问题，在满足结构简单、体积小的前提上能够实现对超导‑磁电阻复合磁传感器的量程扩展，从而实现高分辨力与宽量程兼容。
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公开(公告)号：CN111624526A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010456098.7
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/022 , G01R33/035 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计，自下而上依次包括超导闭合环路层，绝缘层和隧穿磁电阻器件层，所述超导闭合环路层包括两个位于同一平面内且呈镜面对称设置的超导环，所述超导环包括窄区、宽区和用于连接窄区和宽区的连接部，两超导环的窄区靠近设置，所述隧穿磁电阻器件层位于两超导环窄区的上方，本发明具有结构简单，能对磁场梯度进行超高灵敏测试的优点。
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公开(公告)号：CN114186451B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202111369924.5
申请日：2021-11-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G06F30/23 , G01R33/09 , G01R33/035
摘要： 本发明公开了一种多量程多灵敏度的超导/TMR复合磁传感器及其仿真方法，本发明多量程多灵敏度的超导/TMR复合磁传感器通过多个窄区可具有多种量程以及多种灵敏度，可适用于多种弱磁传感应用场景，可减少弱磁传感器的体积、有效提升弱磁传感器的小型化。本发明多量程多灵敏度的超导/TMR复合磁传感器及其仿真方法采用超导E‑J幂次定律进行有限元仿真，可实现对包含多个窄区的超导/TMR复合磁传感器的仿真，可用于前述多量程多灵敏度的超导/TMR复合磁传感器的设计以及验证。
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公开(公告)号：CN111624526B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010456098.7
申请日：2020-05-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R33/022 , G01R33/035 , G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计，自下而上依次包括超导闭合环路层，绝缘层和隧穿磁电阻器件层，所述超导闭合环路层包括两个位于同一平面内且呈镜面对称设置的超导环，所述超导环包括窄区、宽区和用于连接窄区和宽区的连接部，两超导环的窄区靠近设置，所述隧穿磁电阻器件层位于两超导环窄区的上方，本发明具有结构简单，能对磁场梯度进行超高灵敏测试的优点。
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公开(公告)号：CN107831120A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711029834.5
申请日：2017-10-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种偏振泵浦探测装置，包括：激光产生组件、泵浦激光调节组件、探测激光调节组件、第一偏振器、第二偏振器、第二分束器、第三分束器、合束器、第一偏振检测器、第二偏振检测器、滤光器和探测模块。本发明具有集偏振分辨、微区探测和宽谱探测为一体，可测量微米量级大小的纳米材料，分辨材料的各个晶体方向的光学性能，对材料中的激发态载流子同时实现超快时域和光谱域的动力学研究的优点。
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公开(公告)号：CN114937736B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210492358.5
申请日：2022-05-07
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H10N50/10
摘要： 本发明公开了一种宽量程TMR传感器隧道结及传感器，本发明的宽量程TMR传感器隧道结包括基底和设于基底上的三明治结构体，所述三明治结构体包括依次层叠布置的自由铁磁层、绝缘势垒层和钉扎层，所述自由铁磁层和钉扎层具有不同的矫顽力，所述三明治结构体中位于靠基底一侧的自由铁磁层具有垂直磁各向异性、位于远离基底一侧的钉扎层具有层叠平面内的磁各向异性；传感器的敏感桥臂采用了前述的宽量程TMR传感器隧道结，参考桥臂采用了水平隧道结磁电阻。本发明旨在解决TMR传感器量程较小难于测量大磁场的问题，且具有体积小、便于加工与集成的优点。
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公开(公告)号：CN114137279A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111371735.1
申请日：2021-11-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种超导/TMR复合的微弱电流检测方法、传感器及其制备方法，本发明方法包括将被检测微弱电流通过超导窄区，利用超导窄区的超导材料工作于超导态时的迈纳斯效应实现磁场聚集放大，将被检测微弱电流转换为放大后的磁信号；利用TMR磁传感器对放大后的磁信号进行检测得到被检测微弱电流的电信号。本发明利用超导窄区的超导材料工作于超导态时的迈纳斯效应，使得超导窄区表面的电流密度远大于常规导体、超导窄区周围磁场强度增大，从而实现磁场聚集放大，可实现更高倍数的电流磁场放大，从而大大提高磁电阻电流传感器电流分辨率，可有效提高对微弱电流的高精度、高灵敏探测。
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公开(公告)号：CN107843560B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201711023489.4
申请日：2017-10-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种高空间分辨的泵浦‑探测微区测量装置、系统及方法，装置包括：激光器、分光器、泵浦激光调节组件、探测激光调节组件、合束器、微区测量组件和光强探测组件；泵浦激光调节组件用于对两束激光中的一束进行调节，得到泵浦激光；探测激光调节组件用于对两束激光中的另一束进行调节，得到探测激光；合束器用于对泵浦激光和探测激光合进行合束；微区测量组件用于在测量前通过显微方式定位待测样品的测量位置，并聚焦泵浦激光和探测激光，对待测样品进行探测；光强探测组件用于探测探测激光的光强和待测样品的透射激光的光强。可提供高空间分辨率的待测样品微区光学图像和探测图像，具有良好的成像效果和线性效果等优点。
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