本发明涉及半导体光电器件制备技术领域，特别涉及一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，GaN基LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底。键合层为金、铟、银或锡的任意一种构成的金属层；柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜的任意一种金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。本发明的有益效果为：制备方法简单易行，方便可靠，另外本过程不会对器件产生影响，不会破坏材料结构特性，并且针对在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，在制备过程中不经过传统工艺的高温过程，具有很好的工艺兼容性。不需要蒸镀厚的金层，降低了生产成本。应用范围广，可适用于所有的GaN基LED器件，尤其适用于提高紫外LED的出光效率。