一种芯片封装设备的封装夹持装置

    公开(公告)号:CN110993535B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201911297369.2

    申请日:2019-12-12

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/687

    摘要: 本发明公开了一种芯片封装设备的封装夹持装置,包括第一滑台、第二滑台和夹紧模组,第一滑台的滑块上设有第一安装板,所述第二滑台与第一安装板连接,所述第二滑台的滑块上设有第二安装板,所述夹紧模组包括底板、步进电机、上固定板、顶板、侧支撑板和皮带,所述底板与第二安装板连接,所述底板的上端设有支撑块,所述支撑块上连有连接轴,所述支撑块的一侧设有侧调节板,两块所述侧支撑板的上端连有上固定板,所述上固定板上设有让位孔,上固定板的下方设有顶板,所述顶板的下端设有与底板连接的导杆气缸,侧支撑板的内侧连有皮带主动轮和皮带从动轮,皮带主动轮和皮带从动轮之间套有皮带,所述皮带主动轮与步进电机连接。

    用于模拟油气井下环境的测试系统

    公开(公告)号:CN115824283B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202211419687.3

    申请日:2022-11-14

    IPC分类号: G01D18/00 G05D27/02

    摘要: 本申请公开了一种用于模拟油气井下环境的测试系统,包括:温度控制装置、压力控制装置及试验装置,温度控制装置包括烘箱,烘箱上设置有温度调节面板;试验装置包括筒体和筒帽,筒体内填充有油水混合物;筒体内设有传感器,传感器连接的光缆穿过筒帽上的光缆连接口,再穿过烘箱侧壁,连接于数据处理组件。筒帽的导压孔通过导压管穿过烘箱侧壁,且连接于压力控制装置,压力控制装置包括互相连通的第一针阀、打压组件和泄压组件。本申请通过温度、压力控制装置来调控试验装置内的温度和压力,传感器能够通过光缆与数据处理组件连接,实现实时在线监测,在传感器出现故障时及时采取措施,或停止测试,拆出传感器进行故障原因分析,提高测试的效率。

    一种车轮在线检测用电磁超声表面波系统抗干扰处理方法

    公开(公告)号:CN115575502B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202211266920.9

    申请日:2022-10-17

    IPC分类号: G01N29/04 G01N29/22 G01N29/32

    摘要: 本发明属于超声无损检测技术领域,具体涉及到一种车轮在线检测用电磁超声表面波系统抗干扰处理方法,在激励线圈和接收线圈上方布置铜网,下方设置铜箔;在永磁铁和壳体之间设置隔离层;将激励线圈对应的铜箔与高压激励电路通过导线连接并接地,将铜网、屏蔽层及接收线圈对应的铜箔分别与接收放大电路通过导线连接并统一接地,高压激励电路和接收放大电路均用屏蔽罩进行屏蔽处理;将电磁超声表面波传感器壳体分别与两侧钢轨连接并接地,接地均相互隔离。本发明可有效屏蔽微振和电磁干扰,可消除车轮在线检测中环境噪声对于电磁超声系统的干扰,从而保证对机车车轮缺陷检测的准确性。

    一种无盲区的相干测风激光雷达系统

    公开(公告)号:CN118566943A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202411044964.6

    申请日:2024-08-01

    IPC分类号: G01S17/95 G01S7/483

    摘要: 本发明涉及激光雷达技术领域,特别涉及一种无盲区的相干测风激光雷达系统,连续单频窄线宽激光器连接5/95耦合器,5/95耦合器连接声光调制器和衰减器,声光调制器连接第一光开关,第一光开关连接两个光纤放大器,两个光纤放大器分别通过环形器连接有望远镜,两个环形器连接第二光开关,衰减器和第二光开关连接2*2耦合器,2*2耦合器连接平衡探测器,平衡探测器连接A/D采集装置,A/D采集装置信号处理控制单元,信号处理控制单元控制连接声光调制器、第一光开关和第二光开关。本发明的有益效果是:本发明可以实现从近到远的无盲区覆盖,即在雷达系统的探测范围内,无论距离远近都能实现精确的风场探测。

    一种基于飞秒激光的面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118554259A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202411008071.6

    申请日:2024-07-26

    IPC分类号: H01S5/183 H01S5/06

    摘要: 本申请涉及激光器制备技术领域,提供一种基于飞秒激光的面发射激光器及其制备方法。制备方法包括:在衬底上生长多层结构;清洁多层结构背离衬底一侧的表面;采用飞秒激光在增益层和/或第二限制层制备多个长孔,以形成光子晶体结构;进行超声波清洗处理;在第二限制层上沉积图形化的第一金属电极;进行退火或光激活处理;在衬底上沉积第二金属电极,以得到面发射激光器。该制备方法直接在结构层表面或者内部形成光子晶体结构,不需要制备掩膜结构,极大程度上简化了加工工艺,节约生产时间,降低生产成本,提高了加工一致性和可靠性,能够有效实现高精度和低热效应的加工。

    一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118174141B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410585100.9

    申请日:2024-05-13

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本申请涉及半导体器件技术领域,提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法,制备方法包括提供一层衬底;在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层;在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层;刻蚀形成多个孔状结构;在介质绝缘材料层上生长P‑DBR;刻蚀P‑DBR,得到多个柱状结构;在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极,在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层,能够有效降低生产工艺难度,降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制,能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备,提高了制备效率。

    基于孪生卷积神经网络的固体锁模激光器控制方法及系统

    公开(公告)号:CN118232155A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410641747.9

    申请日:2024-05-23

    发明人: 关晨 渠帅 王晓飞

    摘要: 本申请涉及激光脉冲特性测量技术领域,提供一种基于孪生卷积神经网络的固体锁模激光器控制方法及系统,控制方法包括训练孪生卷积神经网络;获取第二时序信号、第二射频谱信号或第二光谱信号中的一种或多种;特征提取后转换为第二瞬态特征序列;输入至第二子网络得到第二特征参量;对比得到欧氏距离;响应于欧氏距离不在预设范围内,确定固体锁模激光器的实时工作状态不包括稳定锁模状态;调整X腔镜组件位置,使之处于稳定锁模状态。该控制方法整合了卷积神经网络的自动化分析和调节功能,可以减少人工干预,提高自动化程度和稳定性,降低了维护成本和人力成本。通过实时的监测和调节,可以不断调节优化固体锁模激光器的输出性能。

    单频光纤激光器波长稳定性的控制方法和控制系统

    公开(公告)号:CN118198844A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410619663.5

    申请日:2024-05-20

    发明人: 关晨 渠帅 王晓飞

    IPC分类号: H01S3/137 H01S3/13

    摘要: 本申请涉及激光波长控制技术领域,具体涉及一种单频光纤激光器波长稳定性的控制方法和控制系统。其中,单频光纤激光器设置有腔长调控模块,腔长调控模块包括PZT模块,单频光纤激光器波长稳定性的控制方法包括:获取单频光纤激光器的当前输出波长、环境温度和PZT模块的工作电压;基于预设模型,确定环境温度和PZT模块的工作电压对应的预测输出波长;基于预设模型、当前输出波长和预测输出波长,确定腔长修正参数;基于腔长修正参数,控制腔长调控模块工作。实现单频光纤激光器输出波长的自反馈调节,减少低频噪声和高频噪声对输出波长的影响,提高了单频光纤激光器输出波长的稳定性和鲁棒性。

    一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118174141A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410585100.9

    申请日:2024-05-13

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本申请涉及半导体器件技术领域,提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法,制备方法包括提供一层衬底;在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层;在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层;刻蚀形成多个孔状结构;在介质绝缘材料层上生长P‑DBR;刻蚀P‑DBR,得到多个柱状结构;在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极,在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层,能够有效降低生产工艺难度,降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制,能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备,提高了制备效率。

    一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118156972A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410585008.2

    申请日:2024-05-13

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本申请涉及半导体技术领域,提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法,制备方法包括提供衬底,生长缓冲层、N型DBR结构、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR结构,刻蚀多个第二孔洞腐蚀P型DBR结构形成多个环形腔体,沉积第二介质绝缘材料层;沉积第一电极和第二电极,得到长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构,能够有效保证激光器的光电性能,且满足实用性要求,同时还能够有效减少制备对数,提高散热能力,进而提高生产速率。