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公开(公告)号：CN118554258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411008095.1
申请日：2024-07-26
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本申请涉及激光器制备技术领域，提供一种基于飞秒激光加工的分布式反馈激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底上沉积外延结构；在欧姆接触层沉积条形的第一电极；其中，第一电极沉积在欧姆接触层的中间区域，第一电极沿第一方向延伸；刻蚀限制层和欧姆接触层，得到脊型波导结构；采用飞秒技术在脊型波导结构两侧的波导层制备多个条形的分布式反馈光栅；在衬底背离外延结构的一侧沉积第二电极，退火后得到分布式反馈激光器。该制备方法能够避免精密对准工艺，制备精度高，减少设备成本和生产周期，可以实现规模化生产。同时，该制备方法为非热处理方法，减少了热影响区，提高了材料的光电性能，有利于降低制造成本。
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公开(公告)号：CN118198859B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410611944.6
申请日：2024-05-17
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N型DBR、空间层、多量子阱层、P‑空间层、薄层和第一P‑GaAs层；生长多条平行的AlAs纳米线、第二P‑GaAs层；形成P型DBR；刻蚀P型DBR，形成多个柱状结构；采用HF溶液腐蚀AlAs纳米线，得到多个线形空腔；沉积第一电极和第二电极，以得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用激光诱导制备纳米线阵列结构，结合选择性腐蚀工艺，能够提高生产速率。降低对生长工艺和设备的依赖程度，降低工艺门槛，提高制备效率，生产成本低。
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公开(公告)号：CN118156972B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410585008.2
申请日：2024-05-13
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供衬底，生长缓冲层、N型DBR结构、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR结构，刻蚀多个第二孔洞腐蚀P型DBR结构形成多个环形腔体，沉积第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极，得到长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
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公开(公告)号：CN114843387A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210437172.X
申请日：2022-04-25
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本发明提供一种高反射率的复合金属电极制备方法，包括以下制备步骤：步骤1）提供一个GaAs基光电器件外延片，所述GaAs基光电器件外延片的结构其从下至上依次包括GaAs衬底，缓冲层，n‑GaAs欧姆接触层，有源层，p‑GaAs，p‑GaP欧姆接触层；步骤2）对所述GaAs基光电器件外延片进行清洗；步骤3）在清洗后的GaAs基光电器件的p‑GaP欧姆接触层上采用电子束蒸发的镀膜技术蒸镀第一电极层，电极膜层的先后顺序为Zn/Au；步骤4）对Zn/Au电极进行快速热退火；步骤5）在退火后的Zn/Au电极上再次蒸镀第二电极层，电极膜层的先后顺序为Ti/Au。
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公开(公告)号：CN114122227A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210087861.2
申请日：2022-01-26
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本发明涉及半导体光电器件制备技术领域，特别涉及一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法，GaN基LED器件下方贴合有键合层，键合层的下方贴合柔性金属衬底。键合层为金、铟、银或锡的任意一种构成的金属层；柔性金属衬底为铜、钼铜或钨钼铜的任意一种金属，柔性金属衬底的制备方法包括电镀或合金化处理。本发明的有益效果为：制备方法简单易行，方便可靠，另外本过程不会对器件产生影响，不会破坏材料结构特性，并且针对在硅衬底上生长得到的GaN基LED芯片，在制备过程中不经过传统工艺的高温过程，具有很好的工艺兼容性。不需要蒸镀厚的金层，降低了生产成本。应用范围广，可适用于所有的GaN基LED器件，尤其适用于提高紫外LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN118156970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410584759.2
申请日：2024-05-13
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层；在缓冲层生长N型DBR；腐蚀形成第一孔洞；沉积第一介质绝缘材料层；在N型DBR生长N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR；刻蚀形成第二孔洞，在第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；填充第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
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公开(公告)号：CN117810810B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410223666.7
申请日：2024-02-29
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆结构的流片工艺，有效提高制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN117542929A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311365113.7
申请日：2023-10-20
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本申请提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，包括：在GaAs衬底上依次沉积蚀刻停止层、n型GaAs层和空间层；沉积量子阱层、p型InAlP空间层、窗口层、沉积电极层，得到第一晶圆结构；剥离第一晶圆结构并退火，得到第二晶圆结构；将第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上；去除衬底，去除蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；湿法腐蚀或干法刻蚀得到第四晶圆结构；沉积底部电极层；电镀铜Cu基底，低温退火操作。该方法通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，实现欧姆接触的退火温度下降，这有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产品；且该工艺方法增强了柔性LED的性能，简化了工艺流程，降低了成本，且能保护应用于特殊环境的材料。
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公开(公告)号：CN115912050A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211507721.2
申请日：2022-11-24
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器，在外延片上刻蚀脊型波导结构；在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，得到DFB激光器。由此可见，本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构，可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度，降低工艺门槛，从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。
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公开(公告)号：CN118858222A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411273145.9
申请日：2024-09-12
申请人： 山东省科学院激光研究所 , 济南蓝动激光技术有限公司
摘要： 本申请涉及光学微腔传感器解调技术领域，具体涉及一种光学微腔传感器的探测方法和系统。其中，光学微腔传感器的探测方法应用于基于光模态局域化效应的光学微腔传感器，光学微腔传感器的探测方法包括：获取基于光模态局域化效应的光学微腔传感器的输出频谱；输出频谱包括一个对称峰和一个反对称峰；测定输出频谱中，对称峰对应的第一谐振振幅与反对称峰对应的第二谐振振幅；基于第一谐振振幅和第二谐振振幅，解调得到基于光模态局域化效应的光学微腔传感器的目标探测物理量。基于对称峰和反对称峰的谐振振幅，解调得到目标探测物理量，实现目标探测物理量的精准测量，且减少受环境中物理量改变的影响。
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