- 专利标题: 一种将SIG和SMG两种超导块材生长法结合实现批量化生产的方法
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申请号: CN202111402223.7申请日: 2021-11-19
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公开(公告)号: CN114214729B公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 杨万民 , 崔艳兰
- 申请人: 陕西师范大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区
- 专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区
- 代理机构: 西安赛嘉知识产权代理事务所
- 代理商 王伟超
- 主分类号: H01B12/00
- IPC分类号: H01B12/00 ; C30B29/22 ; C30B11/14 ; C30B33/02
摘要:
本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法,包括如下步骤:步骤一、准备籽晶;步骤二、SIG制备先驱块:制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块;步骤三、SMG制备先驱块;步骤四、准备单晶块、垫片;步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块;步骤六:在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材;步骤七:渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长,又能提高籽晶利用率,同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长;不仅提高了批量化的效率,也提高了籽晶的利用率,生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
公开/授权文献
- CN114214729A 一种将SIG和SMG两种超导块材生长法结合实现批量化生产的方法 公开/授权日:2022-03-22