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公开(公告)号：CN116607203A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211610659.X
申请日：2022-12-12
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明提供了一种通过多籽晶分层诱导制备织构GdBCO超导块材的熔渗生长法，包括如下步骤：首先制备籽晶、传输层、固相先驱块、液相先驱块、支撑块，其中固相先驱块内部设有籽晶；然后装配坯体，装配完成后，采用熔渗生长法，通过多籽晶分层诱导生长GdBCO织构块材；最后对多籽晶诱导生长织构钆钡铜氧块材渗氧处理，之后得到多籽晶诱导生长的织构钆钡铜氧超导块材。本发明提供的这种制备方法进一步缩短了大尺寸织构GdBCO超导块材的制备时间，提高了样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
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公开(公告)号：CN117700225A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311593741.0
申请日：2023-11-27
申请人： 陕西师范大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622 , H01B12/00
摘要： 本发明提供了一种纳米粉体，按摩尔数配比是：0摩尔～2摩尔的Y2O3，2摩尔～0摩尔的Gd2O3，8摩尔的BaCO3，2摩尔的CuO，1摩尔的M2O5；该纳米粉体的化学式为YaGd2‑aBa4CuMOy，其中a的取值范围是0＜a＜2，M是Nb,U,Ta,Mo,W,Ru,Zr,Bi,Ag中任意一种；掺杂该YaGd2‑aBa4CuMOy纳米粉体制备的单畴钆钡铜氧超导块材，具有优异的磁悬浮力。
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公开(公告)号：CN114214729B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111402223.7
申请日：2021-11-19
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、SIG制备先驱块：制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块；步骤三、SMG制备先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块；步骤六：在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长，又能提高籽晶利用率，同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长；不仅提高了批量化的效率，也提高了籽晶的利用率，生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
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公开(公告)号：CN114214728B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111390472.9
申请日：2021-11-19
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明提供了一种楼层式的籽晶诱导熔融生长SMG提高籽晶利用率的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、准备支撑块；步骤三、准备超导先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、在准备好的垫片上放置多个相互间隔的单晶块，然后在所述多个相互间隔的单晶块上方设置有第一支撑块，再在所述第一支撑块的上方设置至少两层超导先驱块，并且所述两层超导先驱块之间对称设置有多个第二支撑块、籽晶，并且所述籽晶位于两层超导先驱块的中心，多个第二支撑块位于籽晶的外围；步骤六：籽晶诱导熔融生长法生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理；不仅提高了籽晶的利用率，同时可实现批量化生产，并且可用来生长较厚的超导先驱块材。
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公开(公告)号：CN114214729A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111402223.7
申请日：2021-11-19
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、SIG制备先驱块：制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块；步骤三、SMG制备先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块；步骤六：在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长，又能提高籽晶利用率，同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长；不仅提高了批量化的效率，也提高了籽晶的利用率，生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
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公开(公告)号：CN114214728A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111390472.9
申请日：2021-11-19
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明提供了一种楼层式的籽晶诱导熔融生长SMG提高籽晶利用率的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、准备支撑块；步骤三、准备超导先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、在准备好的垫片上放置多个相互间隔的单晶块，然后在所述多个相互间隔的单晶块上方设置有第一支撑块，再在所述第一支撑块的上方设置至少两层超导先驱块，并且所述两层超导先驱块之间对称设置有多个第二支撑块、籽晶，并且所述籽晶位于两层超导先驱块的中心，多个第二支撑块位于籽晶的外围；步骤六：籽晶诱导熔融生长法生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理；不仅提高了籽晶的利用率，同时可实现批量化生产，并且可用来生长较厚的超导先驱块材。
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