Invention Grant
- Patent Title: 一种石墨烯膜及其制备方法
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Application No.: CN202111537990.9Application Date: 2021-12-15
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Publication No.: CN114229837BPublication Date: 2024-04-12
- Inventor: 任文才 , 马超群 , 刘海超 , 成会明
- Applicant: 中国科学院金属研究所
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Assignee: 中国科学院金属研究所
- Current Assignee: 中国科学院金属研究所
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Agency: 沈阳优普达知识产权代理事务所
- Agent 张志伟
- Main IPC: C01B32/186
- IPC: C01B32/186 ; C01B32/194

Abstract:
本发明涉及新材料及其应用技术领域,具体涉及一种石墨烯膜及其制备方法。以三维连通的高孔隙率高密度的多孔金属为模板,利用化学气相沉积工艺,在适宜的温度和气氛条件下,在金属模板表面催化生长石墨烯层。去除金属基底后,得到三维连通的多孔石墨烯骨架。通过施加压力,将所述三维石墨烯骨架压制成柔性膜。调控制备参数,可以对所述石墨烯薄膜的厚度,孔隙等进行调控。本发明工艺简单,生产成本低廉。所制备的石墨烯膜具有很高的结晶质量和柔韧性,在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热、导电性能。由于所述石墨烯膜为高结晶质量的全炭结构,可在800℃以下空气环境下稳定使用,在导热、导电、电磁屏蔽等领域具有巨大的应用潜力。
Public/Granted literature
- CN114229837A 一种石墨烯膜及其制备方法 Public/Granted day:2022-03-25
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