发明公开
CN114250503A 一种零位错P型锗单晶制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种零位错P型锗单晶制备方法
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申请号： CN202111660623.8申请日： 2021-12-30
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公开(公告)号： CN114250503A公开(公告)日： 2022-03-29
- 发明人: 李宝学 , 刘得伟 , 林作亮 , 李长林 , 李国芳 , 黄四江 , 沙智勇 , 陆贵兵 , 普世坤
- 申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 申请人地址： 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块; ;
- 专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人： 昆明云锗高新技术有限公司,云南中科鑫圆晶体材料有限公司,云南鑫耀半导体材料有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块; ;
- 代理机构： 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 刘敏
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C30B15/20 ; C30B29/08
摘要：
本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
IPC分类:
