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公开(公告)号：CN114622272B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN114622272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN114250503A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111660623.8
申请日：2021-12-30
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN112684598A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110069261.9
申请日：2021-01-19
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/173
摘要： 本发明属于连续变焦光学系统领域。具体的，本发明公开一种紧凑型非制冷长波红外连续变焦光学系统，包括沿光轴从物面到焦面依次设置有前固定镜组、变倍镜组、补偿镜组、像差稳定镜组、后固定镜组和滤光片，变焦镜组、补偿镜组和像差稳定镜组沿光轴方向按着设定规律前后直线移动实现连续变焦，后固定镜组沿光轴方向前后移动实现离焦补偿，本发明光学系统采用机械补偿变焦方式，变焦核由变焦组、补偿组和像差稳定镜组构成，为三动组结构，能够实现焦长比不小于1、变倍比不小于6、相对孔径不大于1.2的连续变焦功能，在焦距连续变化的过程中，所有焦距中心视场及边缘视场均具有较好的成像质量。
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公开(公告)号：CN112731640A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110069253.4
申请日：2021-01-19
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/173
摘要： 本发明属于特殊红外长波波段连续变焦光学技术领域，具体公开一种工作于14～16μm波段的红外连续变焦系统，包括沿光轴从物方到像方依次设置的前固定组、变倍组、补偿组、后固定组、平场镜、气室前封窗、气室后封窗和滤光片，变倍组沿光轴移动实现连续变焦，补偿组沿光轴移动实现变焦补偿，所述前固定组、变倍组、后固定组、气室前封窗和气室后封窗的材料为ZnSe，所述补偿组和滤光片的材料为Ge，从系统材料构成来看，除了补偿组3为了色差校正是材料Ge外，其余镜片全部是ZnSe，保证了在14～16μm工作波段内有尽可能高的能量透过性能，且系统并没有增加镜片数。
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公开(公告)号：CN111455405A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010518994.1
申请日：2020-06-09
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明涉及稀有金属冶炼领域,具体公开一种多单元串联多级电解精炼制备高纯铟的方法及装置，包括电解前储液槽、电解槽、电解后储液槽、第一循环泵通过管道和U型槽连通形成一个电解精炼循环系统，并通过该电解槽进行一级电解、真空蒸馏、二级电解、单晶生长这四个步骤制得质量一致性好、纯度达8N的高纯铟，为我国磷化铟材料高端产品的制备提供技术基础和材料基础。
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公开(公告)号：CN112834050A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110224476.3
申请日：2021-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 本发明属于红外成像设备领域，具体公开一种长波红外连续变焦热像仪气室切换结构，包括固定连接座、气室连接装置、限位机构和电机，限位机构设置于固定连接座的底部，气室连接装置包括气室和扇形齿轮，扇形齿轮的扇面上设置有开口，气室嵌接于开口内，气室为两个，电机的一端连接有传动齿轮，扇形齿轮的圆心处与固定装置均套接于转轴上，电机固定连接于固定装置上，并且使传动齿轮和扇形齿轮相嵌接，通过电机带动传动齿轮和扇形齿轮运动，从而达到对气室进行切换，本发明设计的热像仪气室切换结构，增强了热像仪的使用功能，改进后的气室结构，设置两个气室，一个气室内置温室气体CO2内腔为正压，温室气体CO2延缓内部元器件老化时间、延长机器寿命。
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公开(公告)号：CN112658882A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011641530.6
申请日：2020-12-31
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 本发明属于光学零件制备技术领域，具体公开一种多件光学零件平面同时加工装置及方法，包括抛光机、基底模和粘结模，基底模和粘结模具均分别连接于抛光机上，基底模的边缘上设置固定柱，并在基底模上确定粘接模的定位区域，在定位区域内将制作好含粘接剂的零件，均匀分布在基底模上，零件间距1～2mm，粘接模加温至100℃依靠固定柱定位把零件进行热压，粘接模温度降至70℃时，施加零件每平方毫米100克的压力，直至冷却常温加工，本发明实现了多件平面零件同时加工，容易获得更高的面型精度和平行度，根据抛光机镜盘大小，对比单件光学零件加工其效率提高了5～30倍，实现超小直径零件加工化难为简。
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公开(公告)号：CN112684598B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110069261.9
申请日：2021-01-19
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/173
摘要： 本发明属于连续变焦光学系统领域，具体的，本发明公开一种非制冷长波红外连续变焦光学系统，沿光轴从物面到焦面依次设置有前固定镜组、变倍镜组、补偿镜组、像差稳定镜组、后固定镜组和滤光片，变倍镜组、补偿镜组和像差稳定镜组沿光轴方向前后直线移动实现连续变焦，后固定镜组沿光轴方向前后移动实现离焦补偿，本发明光学系统采用机械补偿变焦方式，变焦核由变倍组、补偿组和像差稳定镜组构成，为三动组结构，能够实现焦长比不小于1、变倍比不小于6、相对孔径不大于1.2的连续变焦功能，在焦距连续变化的过程中，所有焦距中心视场及边缘视场均具有较好的成像质量。
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