发明公开
CN114256222A 半导体模块
审中-实审
- 专利标题: 半导体模块
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申请号: CN202111121026.8申请日: 2021-09-24
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公开(公告)号: CN114256222A公开(公告)日: 2022-03-29
- 发明人: A·凯斯勒 , J·霍格劳尔 , G·诺鲍尔
- 申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 申请人地址: 奥地利菲拉赫西门子大街2号
- 专利权人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人地址: 奥地利菲拉赫西门子大街2号
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘书航; 周学斌
- 优先权: 20198168.5 20200924 EP
- 主分类号: H01L25/16
- IPC分类号: H01L25/16 ; H01L23/485
摘要:
公开了一种半导体模块。在实施例中,提供了一种半导体模块,其包括层叠结构,层叠结构包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的电绝缘芯层、布置在芯层的第一侧上的第一重分布层和布置在芯层的第二侧上的第二重分布层。半导体模块进一步包括第一晶体管器件和第二竖向晶体管器件,第一晶体管器件和第二竖向晶体管器件被耦合以形成半桥电路。第一晶体管器件具有在其处布置有单元场的第一侧和与第一侧相对的第二侧,并且第二晶体管器件具有在其处布置有单元场的第一侧和与第一侧相对的第二侧。半导体模块进一步包括具有第一侧的控制芯片,该第一侧具有接触焊盘。第一晶体管器件、第二晶体管器件和控制芯片被布置成在横向上彼此相邻并且嵌入在芯层中。控制芯片的第一侧、第一晶体管器件和第二晶体管器件中的一个的第一侧以及第一晶体管器件和第二晶体管器件中的另一个的第二侧面向在芯层的第一侧上的第一重分布层。
IPC分类: