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公开(公告)号：CN116205303A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211516932.2
申请日：2022-11-30
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： G06N10/40
摘要： 一种用于保持在低温恒温器中的基板上安装的离子阱装置的低温恒温器插座包括被提供用于在低温恒温器中的预先组装的壳体框。在壳体框中布置弹簧销插入件。弹簧销插入件包括基板和弹性地容纳在基板中的接触销。接触销布置成阵列。壳体盖具有用于基板的容座，其中，壳体盖在与壳体框组装时在基板的前侧上施加压缩力，基板的后侧通过该压缩力被压到接触销上。
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公开(公告)号：CN114256222A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111121026.8
申请日：2021-09-24
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/485
摘要： 公开了一种半导体模块。在实施例中，提供了一种半导体模块，其包括层叠结构，层叠结构包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的电绝缘芯层、布置在芯层的第一侧上的第一重分布层和布置在芯层的第二侧上的第二重分布层。半导体模块进一步包括第一晶体管器件和第二竖向晶体管器件，第一晶体管器件和第二竖向晶体管器件被耦合以形成半桥电路。第一晶体管器件具有在其处布置有单元场的第一侧和与第一侧相对的第二侧，并且第二晶体管器件具有在其处布置有单元场的第一侧和与第一侧相对的第二侧。半导体模块进一步包括具有第一侧的控制芯片，该第一侧具有接触焊盘。第一晶体管器件、第二晶体管器件和控制芯片被布置成在横向上彼此相邻并且嵌入在芯层中。控制芯片的第一侧、第一晶体管器件和第二晶体管器件中的一个的第一侧以及第一晶体管器件和第二晶体管器件中的另一个的第二侧面向在芯层的第一侧上的第一重分布层。
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公开(公告)号：CN106067458A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610250460.9
申请日：2016-04-21
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49524 , H01L23/492 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/371 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L23/50
摘要： 一种装置，包括具有接触电极的逻辑半导体芯片。接触电极被构造成基于线夹结合技术电联接至接触线夹。
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公开(公告)号：CN117438403A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310912573.0
申请日：2023-07-24
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本申请涉及一种半导体封装，其包括低电压接触焊盘、高电压接触焊盘、输出接触焊盘、半桥电路以及第一、第二和第三引线。半桥电路包括在输出节点处串联耦合的第一晶体管器件和第二晶体管器件。第一晶体管器件具有第一主表面，并且第二晶体管器件具有第一主表面，并且第一晶体管器件和第二晶体管器件的第一主表面基本上垂直于低电压接触焊盘、高电压接触焊盘和输出接触焊盘延伸。第一和第二晶体管器件布置在半导体封装的器件部分中，并且安装在第一引线上，第一引线提供输出接触焊盘，并且布置在器件部分的第一侧上。第二和第三引线布置在器件部分的与第一侧相对的第二侧上的公共平面中。第二引线提供低电压接触焊盘，并且第三引线提供高电压接触焊盘。
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公开(公告)号：CN117438401A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310900873.7
申请日：2023-07-21
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56
摘要： 本公开涉及半导体封装和方法。在实施例中，一种半导体封装包括下表面，所述下表面包括低压接触焊盘、高压接触焊盘、输出接触焊盘和至少一个控制接触焊盘。半导体封装还包括：半桥电路，包括具有第一主表面的第一晶体管装置和具有第一主表面的第二晶体管装置，第一晶体管装置和第二晶体管装置按照电气方式在输出节点串联耦合；和控制装置，按照电气方式耦合到第一晶体管装置和第二晶体管装置。第一晶体管装置和第二晶体管装置的第一主表面被布置为基本上垂直于半导体封装的下表面。
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公开(公告)号：CN109473410B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201811049585.0
申请日：2018-09-10
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/56 , H01L23/495
摘要： 一种封装，包封功率半导体管芯且具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：引线框架结构，被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子，其延伸出封装覆盖区侧和/或封装侧壁之一并与管芯的第一负载端子电连接；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接；以及散热器，散热器布置在封装主体外部并与顶层电接触，散热器的底表面面向顶层，其中散热器还具有顶表面，顶表面的面积大于底表面的面积。
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公开(公告)号：CN109473410A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811049585.0
申请日：2018-09-10
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/56 , H01L23/495
摘要： 一种封装，包封功率半导体管芯且具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：引线框架结构，被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子，其延伸出封装覆盖区侧和/或封装侧壁之一并与管芯的第一负载端子电连接；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接；以及散热器，散热器布置在封装主体外部并与顶层电接触，散热器的底表面面向顶层，其中散热器还具有顶表面，顶表面的面积大于底表面的面积。
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