发明公开
CN114256262A 半导体器件
审中-实审
- 专利标题: 半导体器件
-
申请号: CN202111105617.6申请日: 2021-09-22
-
公开(公告)号: CN114256262A公开(公告)日: 2022-03-29
- 发明人: 李珍秀 , 蔡弘植 , 金润洙 , 金泰均 , 曹仑廷
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 弋桂芬
- 优先权: 10-2020-0122727 20200923 KR
- 主分类号: H01L27/11524
- IPC分类号: H01L27/11524 ; H01L27/11529 ; H01L27/11548 ; H01L27/11556 ; H01L27/11568 ; H01L27/11573 ; H01L27/11575 ; H01L27/11582
摘要:
本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括:多个半导体图案,在第一方向上间隔开;多个模制绝缘层,在所述多个半导体图案之间;多个硅化物图案,接触所述多个半导体图案;以及多个第一金属导电膜,在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案,其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁,硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸,硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
IPC分类: