本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。