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公开(公告)号：CN118868913A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410943962.4
申请日：2024-07-15
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/003 , H03F3/45 , H03K3/037 , H02M1/088 , H02M3/158
摘要： 本发明涉及电子技术领域，提供一种电平移位器、半桥转换电路和电子设备，电平移位器包括输入模块、共模电流抑制模块和输出模块；共模电流抑制模块的第一端和第二端与输入模块电连接，共模电流抑制模块的第三端和第四端与输出模块电连接；输入模块用于根据输入信号生成差模信号，并将差模信号传输至共模电流抑制模块；共模电流抑制模块用于根据差模信号生成第一电压信号和第二电压信号，并对第一电压信号和第二电压信号进行干扰电流抑制处理，得到第三电压信号和第四电压信号且传输至输出模块；输出模块用于对第三电压信号和第四电压信号进行处理后输出。通过共模电流抑制模块抑制干扰电流，从而确保电平移位器正常工作，提升了电平移位器的性能。
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公开(公告)号：CN113490394B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110715828.5
申请日：2021-06-24
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H05K7/20
摘要： 本发明公开了一种叶脉仿生微通道耦合射流换热系统，包括依次叠压连接的盖板、射流板和微通道板。本发明的叶脉仿生微通道耦合射流换热系统通过仿生植物叶脉网络结构，有效提高了换热系统内流体的分配均匀程度，使得冷媒能够快速、均匀地进入和排出换热系统，从而大大提升了换热系统整体的冷却和均温效果。
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公开(公告)号：CN118825160A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410886259.4
申请日：2024-07-03
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种可剥离深紫外LED芯片结构及其制备方法和剥离方法及深紫外LED薄膜芯片，其中，可剥离深紫外LED芯片结构在衬底模板和有源区之间设置有牺牲层和AlN阻挡层，且牺牲层位于衬底模板与AlN阻挡层之间。由于Si掺杂AlN的激活能很高，导致即使在较重的Si掺杂浓度下，AlN薄膜也是绝缘的，因此，能够保证牺牲层和电子注入层均具有较高的电子浓度，从而，保证牺牲层与阻挡层之间的界面在经历电化学腐蚀处理之后的平整度，避免有源区中的电子注入层因导电而被腐蚀的问题，以及避免造成该可剥离深紫外LED芯片结构做成器件之后电压过高、接触电阻过大、光源效率低等问题。
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公开(公告)号：CN118231546A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410368343.7
申请日：2024-03-28
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供了一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法，涉及半导体技术领域。该器件自上到下依次包括：N电极、至少一个环状外延结构、P电极、金属键合层和导电衬底。环状外延结构自上到下依次包括：N型AlGaN层、深紫外多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层。其中，N型AlGaN层的上表面嵌设有一层间隔设置的椭圆体型二氧化硅小球。环状外延结构还包括孔洞，孔洞从P型GaN层延伸至N型AlGaN层，且孔洞的底部不与椭圆体型二氧化硅小球接触。本申请提供的高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法不仅能够改善深紫外LED晶体质量与电流分布，提高器件的光提取效率以及发光效率，还能实现大功率发射。
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公开(公告)号：CN118144341A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410285102.6
申请日：2024-03-13
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供了一种自由曲面匀光透镜及其制备方法，涉及透镜技术领域。该方法包括如下步骤：基于自由曲面透镜本体的表面，制备与自由曲面透镜本体形状相匹配的成型模具；其中，自由曲面透镜本体位于成型模具的内部，且成型模具上设有开口。将基质材料和散射颗粒材料均匀混合，得到匀光混合液；其中，散射颗粒材料均匀分布于基质材料内，且基质材料用于与自由曲面透镜本体的表面胶合，散射颗粒材料用于对入射光线进行多重散射。将匀光混合液注入成型模具中，待匀光混合液固化后，去掉成型模具，得到自由曲面匀光透镜。本申请提供的自由曲面匀光透镜及其制备方法能够在不损耗透镜的前提下，提高自由曲面透镜的匀光效果。
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公开(公告)号：CN114267764B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111617412.6
申请日：2021-12-27
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法，其中，高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED；设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本发明虽然在深紫外倒装LED上增设介质层，增加了深紫外倒装LED的厚度，但是，由于增设的介质层设在蓝宝石衬底的出光面上，且介质层的出光面经过粗化处理，使得深紫外倒装LED即使厚度增大，其出光效率也能够得到进一步提高；而且，由于介质层的硬度比蓝宝石低，其粗化难度和成本均得到降低。
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公开(公告)号：CN114256389B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111514528.7
申请日：2021-12-13
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种高密度微LED阵列及其制作方法与应用，属于LED技术领域。该方法包括：将待处理LED外延片按预设的微LED阵列进行台面刻蚀至露出N型半导体，于刻蚀后的外延片表面制备第一钝化层；按预设的N型半导体接触金属层图形光刻图案；去除需制备金属层的区域所对应的第一钝化层并制备N型半导体接触金属层；于上述外延片表面制备第二钝化层；去除P型半导体表面的部分第二和第一钝化层；于露出的部分P型半导体表面制备P型半导体接触金属层。该方法利用自对准工艺及二次钝化技术，改善了高密度微LED阵列单个微LED N型导电通道电阻大且分布不均的问题，所得的微LED阵列具有较优的发光均匀性、一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117930499A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311873356.1
申请日：2023-12-29
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种自由曲面棱镜的优化方法以及自由曲面棱镜，涉及光学系统技术领域。在获取三组面型数据、第一方向、第二方向以及第三方向的基础上，建立初始棱镜。之后获取初始棱镜的相关参数，引入变量二次常数以及非球面系数校正，优化面型以得到在第二方向上视场角拓展的第一优化棱镜。之后，获取第一优化棱镜的相关参数，引入变量非对称系数校正，再次优化面型以得到在第一方向上视场角拓展的第二优化棱镜。基于上述，通过在合适的优化阶段调整各阶段棱镜的相关参数，提高对各阶段棱镜的优化效率，以根据不同的初始面型数据，优化为良好的自由曲面棱镜，从而达到降低自由曲面棱镜的获取困难度、节约时间的目的。
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公开(公告)号：CN114171659B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111297138.9
申请日：2021-11-03
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开一种具有高出光效率的深紫外薄膜LED及其制备方法，其中，具有高出光效率的深紫外薄膜LED包括支撑部；和设在支撑部上的引入有应变的薄膜状的深紫外LED芯片；其中，支撑部和深紫外LED芯片具有不同的热膨胀系数，应变是由与深紫外LED芯片的热膨胀系数不同的支撑部在与深紫外LED芯片连接过程中、利用基于温度变化导致的不同收缩率引入。由此，使深紫外LED芯片的发光模式转变成以TE模式为主，进而大幅度提升深紫外薄膜LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN117711940A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311862950.0
申请日：2023-12-29
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
摘要： 本申请提出一种增强型HEMT器件结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底；再基于衬底的表面外延生长缓冲层；基于缓冲层的远离衬底的一侧生长沟道层；接着基于沟道层的远离衬底的一侧生长第一势垒层；其中，第一势垒层的厚度小于15nm；然后对第一势垒层进行第一高温脱附处理，并在第一势垒层的表面形成第一脱附层；再基于第一脱附层的表面的生长第二势垒层，其中，第一势垒层的铝组分小于或等于第二势垒层的铝组分，且第一脱附层的铝组分大于第二势垒层的铝组分；之后基于栅极区域对第二势垒层进行沟槽刻蚀，直至露出脱附层；最后基于器件表面制作相互隔离的栅极、源极以及漏极。本申请具有提升了刻蚀均匀性的效果。
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