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公开(公告)号：CN114807882B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210487584.4
申请日：2022-05-06
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用，涉及磁控溅射技术领域。磁控溅射靶材的制备方法包括：将前驱体溶液涂布于衬底上，根据磁控溅射设备磁场分布的强度进行厚度的设计，磁场强的区域涂布厚度大，磁场弱的区域涂布厚度小，在涂布过程中通过加热使溶剂挥发并使前驱体部分或全部转化为目标靶材材料，然后在200‑1500℃的条件下烧结，烧结后的靶材进行磁控溅射制备薄膜。相比于现有方法极大地缩短了靶材的制备流程，提升了平面靶材的材料利用率，从而实现溅射薄膜制备成本的降低；相比于采用溶液加工直接沉积制备薄膜的方法，采用溶液加工薄膜靶材溅射制备的薄膜的致密度和附着力均较为理想。
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公开(公告)号：CN118738096A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411004596.2
申请日：2024-07-25
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/47 , H01L29/10
摘要： 本申请提供一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底上依次制备圆形化栅极层、栅介质层、圆形化半导体层、圆环化势垒调控层、边界轮廓圆形化的源极层、钝化层、漏极走线层和与源极层电性连接的源极走线层，其中，栅极层、半导体层、势垒调控层与源极层圆心重合，半导体层的未被源极层和势垒调控层覆盖的导体化膜层部位将作为漏极区与漏极走线层电性连接，源极层与半导体层的部分半导体膜层部位直接接触形成欧姆(准欧姆)接触，并间隔势垒调控层与另一部分半导体膜层部位形成肖特基势垒。
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公开(公告)号：CN117241639A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311188805.9
申请日：2023-09-14
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供了一种图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器，涉及图案化量子点薄膜技术领域。该方法包括步骤：制备设有多个凹槽的凹模板；对凹模板进行表面处理，其中，凹模版的表面包括各凹槽和台面；在凹模板表面旋涂第一量子点聚合物材料，并去除位于凹模版台面上的第一量子点聚合物薄膜；将凹模板中各凹槽底部的第一量子点聚合物薄膜转印至目标基底；将第二量子点聚合物薄膜转印至同一目标基底，其中，所述第一量子点聚合物薄膜与所述第二量子点聚合物薄膜交错设置在同一目标基底。本申请提供的图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器能够制备得到对量子点材料本身的光学性能无不良影响的高分辨率和高厚度的图案化量子点薄膜。
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公开(公告)号：CN115394738A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211110932.2
申请日：2022-09-13
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明实施例提供了一种键合焊点制作方法，涉及焊接技术领域。方法包括：首先，在基板表面制作绝缘层，并在绝缘层开设绝缘通孔；其中，绝缘通孔露出电极层。然后，在绝缘层表面涂布光刻胶，并在光刻胶开设光刻胶通孔，光刻胶通孔位于绝缘通孔的上方，且绝缘通孔的直径小于光刻胶通孔的直径。最后，在光刻胶表面依次沉积金属层和焊料层，以在绝缘通孔内形成具有凹槽的金属柱，焊料层位于凹槽表面。并对焊料层进行回流，以形成具有凹槽结构的键合焊点。由于该键合焊点包括凹槽结构，能够有效防止焊料金属外溢导致器件间短路。
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公开(公告)号：CN114807882A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210487584.4
申请日：2022-05-06
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用，涉及磁控溅射技术领域。磁控溅射靶材的制备方法包括：将前驱体溶液涂布于衬底上，根据磁控溅射设备磁场分布的强度进行厚度的设计，磁场强的区域涂布厚度大，磁场弱的区域涂布厚度小，在涂布过程中通过加热使溶剂挥发并使前驱体部分或全部转化为目标靶材材料，然后在200‑1500℃的条件下烧结，烧结后的靶材进行磁控溅射制备薄膜。相比于现有方法极大地缩短了靶材的制备流程，提升了平面靶材的材料利用率，从而实现溅射薄膜制备成本的降低；相比于采用溶液加工直接沉积制备薄膜的方法，采用溶液加工薄膜靶材溅射制备的薄膜的致密度和附着力均较为理想。
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公开(公告)号：CN114284362A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111611837.6
申请日：2021-12-27
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
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公开(公告)号：CN118712066A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411004599.6
申请日：2024-07-25
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本申请提供一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层、图形化扩散阻挡层、图形化功函调控层和图形化源极层，其中扩散阻挡层在基底上的投影区域处于半导体层在基底上的投影区域内，源极层覆盖半导体层的未被扩散阻挡层覆盖的部分外侧表面，此时源极层的部分区域与半导体层直接接触形成欧姆接触或准欧姆接触，源极层的部分区域间隔对应功函调控部位和扩散阻挡层与半导体层形成肖特基势垒，从而确保高饱和输出电流的器件电学特性，并有效减少界面缺陷对载流子的俘获以及避免产生载流子陷阱，以此提升器件的稳定性和可靠性，同时有效降低器件制备成本。
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公开(公告)号：CN118215327A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410305417.2
申请日：2024-03-18
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本申请实施例提供一种量子点光转换薄膜制备方法和量子点光转换薄膜，涉及显示技术领域。本量子点光转换薄膜制备方法包括：在印章表面涂具有粘度的可溶性聚合物，形成第二凹模版，在第二凹模版的凹槽中添加量子点聚合物复合材料；用可减粘的胶带贴住第二凹模版并放入溶剂中，使第二凹模版溶解，并使量子点聚合物复合材料留在胶带上，再将胶带贴到目标基底，使量子点聚合物复合材料转移到目标基底，由此能够得到高厚度和高分辨率的量子点光转换彩色薄膜，能实现高效率的色彩转换。
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公开(公告)号：CN116017999A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211697899.8
申请日：2022-12-28
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H10K50/115 , C09K11/02 , H10K71/12 , H01L33/50
摘要： 本申请提供了一种量子点光转换薄膜制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一凹模板，其中，凹模板上设置有多个图案化凹槽，再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层，接着提供一临时基底，并将量子点聚合物薄膜层转移至临时衬底，并在临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在临时基底上形成多个图案化量子点，最后将图案化量子点转移至目标基底。本申请提供的量子点光转换薄膜制作方法具有制作的图案化量子点的效果更好的优点。
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公开(公告)号：CN114284351A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111554995.2
申请日：2021-12-17
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/44
摘要： 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括基板，位于基板一侧的栅极，覆盖于栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层远离基板一侧的半导体层，分别位于半导体层两侧且与栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二绝缘层，其中，第一绝缘层与第二绝缘层间隔设置，分别与栅极绝缘层、第一绝缘层连接的第一导电层，第一导电层与第一绝缘层组成源电极，分别与栅极绝缘层、第二绝缘层连接的第二导电层，第二导电层与第二绝缘层组成漏电极；其中，源电极与漏电极均与半导体层形成肖特基接触。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了饱和电压和功耗的优点。
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