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公开(公告)号：CN114242921B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111496271.7
申请日：2021-12-09
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种发光场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。发光场效应晶体管，包括电子传输层和量子点发光层，电子传输层的材料为CuInSe2纳米晶体，量子点发光层的材料为I‑III‑VI族量子点；其中，I‑III‑VI族量子点的主要材料选自CuInS2、AgInS2和CuGaS2中的至少一种。通过对电子传输层和量子点发光层的材料进行改进，电子传输层采用CuInSe2纳米晶体，量子点发光层采用CuInS2、AgInS2和CuGaS2等I‑III‑VI族量子点，可以制备得到兼具场效应晶体管的开关能力和发光二极管的电致发光特性的高性能电子器件，且不含有镉和铅元素，具有非常好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN115911113A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211528042.3
申请日：2022-11-30
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底；然后基于衬底的一侧制作阴极电极，再基于阴极电极的远离衬底的一侧制作半导体层；其中，半导体层与阴极电极形成欧姆接触，接着基于半导体的远离衬底的一侧制作厚度小于预设值的绝缘层，再基于绝缘层的远离衬底的一侧制作阳极电极，其中，阳极电极与半导体层形成肖特基接触，且阳极电极的材料为铜或铜合金，最后对肖特基二极管进行退火。本申请提供的肖特基二极管及其制作方法具有提升了器件电学特性的重复性且降低了成本的优点。
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公开(公告)号：CN114823917A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210569810.3
申请日：2022-05-24
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/12
摘要： 本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层，使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢或氟扩散掺杂进行导体化，形成源极区域和漏极区域，该金属氧化物层中与栅介质层接触且未导体化的部分区域即为连通源极区域和漏极区域的半导体区域，栅极、源极区域和漏极区域处于同一氮硅层表面上。因此，该薄膜晶体管器件能够通过极为简单的自对准底栅结构实现较低的寄生电容和较高的工作频率上限，并具有制备工艺简单的特点，可低成本制备高图像显示质量的显示面板。
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公开(公告)号：CN114014277A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111497826.X
申请日：2021-12-09
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
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公开(公告)号：CN112670379A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011551204.6
申请日：2020-12-24
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例提供了一种微LED结构和彩色显示装置，涉及显示技术领域。彩色显示装置包括多个所述微LED结构。微LED结构包括发光层、反射层和颜色选择层，其中，发光层至少包含电激发材料和/或光激发材料，以实现多波长激发，反射层位于发光层的一侧，颜色选择层位于发光层的另一侧，颜色选择层用于选择一种颜色的光透过。微LED结构运用到彩色显示装置中，可以兼容半导体工艺进行制备，无需采用昂贵的量子点打印设备以及复杂的巨量转移技术，生产效率和成品率较高。
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公开(公告)号：CN112608741A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011483712.5
申请日：2020-12-15
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： C09K11/62 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L51/50
摘要： 本发明的实施例提供了一种量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板，属于光电技术领域，量子点发光场效应晶体管包括量子点发光层，量子点发光层的材料包括CuInS2和ZnS，ZnS包覆CuInS2以形成核壳结构。量子点发光场效应晶体管的制备方法用于制备上述的量子点发光场效应晶体管。显示面板包括上述的量子点发光场效应晶体管。本发明实施例提供的量子点发光场效应晶体管的量子点发光层采用由ZnS包覆CuInS2形成的核壳结构，其不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，因此绿色环保，可以实现大规模的应用。相应地，采用该量子点发光场效应晶体管作为发光源的显示面板也具有绿色环保，利于实现大规模应用的特点。
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公开(公告)号：CN112447509A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011350999.4
申请日：2020-11-26
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/285 , H01L27/15 , G09F9/33 , G09F9/30
摘要： 本发明公开一种透明柔性Micro‑LED显示系统，采用直立石墨烯作为互联电极。本发明采用直立石墨烯作为互联电极，提高互联电极应力作用下的稳定性与可靠性。同时，直立结构能充分利用石墨烯表面丰富的电子传输通道和散热通道，提高了纵向导电性能，减小器件工作电压。同时，本发明还公开一种所述透明柔性Micro‑LED显示系统的制备方法。
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公开(公告)号：CN112234019A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011123961.3
申请日：2020-10-20
申请人： 广东省科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明的实施例提供了一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法，涉及微器件转移领域。该转移膜包括基底层、吸水层和拾取层，吸水层的一侧与基底层连接，另一侧和拾取层连接，基底层用于在吸水层吸水后与吸水层分离；拾取层用于拾取微器件，并用于将微器件转移至待转移基底上。该转移膜能完成微器件的转移，既适用于微器件从平面基底到平面基底的转移，也适用于平面基底到曲面基底的转移，转移方法简单，效率高。
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公开(公告)号：CN114256389B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111514528.7
申请日：2021-12-13
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种高密度微LED阵列及其制作方法与应用，属于LED技术领域。该方法包括：将待处理LED外延片按预设的微LED阵列进行台面刻蚀至露出N型半导体，于刻蚀后的外延片表面制备第一钝化层；按预设的N型半导体接触金属层图形光刻图案；去除需制备金属层的区域所对应的第一钝化层并制备N型半导体接触金属层；于上述外延片表面制备第二钝化层；去除P型半导体表面的部分第二和第一钝化层；于露出的部分P型半导体表面制备P型半导体接触金属层。该方法利用自对准工艺及二次钝化技术，改善了高密度微LED阵列单个微LED N型导电通道电阻大且分布不均的问题，所得的微LED阵列具有较优的发光均匀性、一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114105189B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111419499.6
申请日：2021-11-26
申请人： 广东省科学院半导体研究所
摘要： 本发明涉及荧光材料制备技术领域，公开了绿色荧光零维钙钛矿的制备方法，绿色荧光零维钙钛矿的化学式为Cs4PbBr6，包括：将有机胺和前驱体溶液混合反应，前驱体溶液为将PbBr2和CsBr同时溶于DMF中得到。本申请提供方法相对于现有的绿色荧光零维钙钛矿的制备方法，无需高温、真空或惰性气体氛围，仅在室温自然条件下即可迅速合成得到，操作简便，且使用的挥发性有机试剂少，对环境更友好，还可实现一次性大批量合成。
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