本发明适用于材料技术领域，提供了一种高敏光刻胶及其制备方法与应用。所述高纯光敏剂的制备方法包括如下步骤：(1)将光敏剂原料置于预处理后的升华设备的腔体内，于真空度0.01‑10Pa进行第一次升华，得到光敏剂粗品；(2)取出光敏剂粗品，通入氩气使腔体内恢复至常压，然后再次将升华设备进行预处理，将所述光敏剂粗品置于预处理后的腔体内，于真空度1.0×10‑4‑1.0×10‑6Pa进行第二次升华，得到高纯光敏剂。本发明还提供由所述制备方法得到的高敏光刻胶及其应用。本发明采用多次升华工艺、并控制升华的真空度制备高纯光敏剂，制得的高纯光敏剂可用于配制光刻胶，制得的光刻胶显影完全，可有效提高芯片制程的良率。