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公开(公告)号：CN114326303B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111602035.9
申请日：2021-12-24
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高敏光刻胶及其制备方法与应用。所述高纯光敏剂的制备方法包括如下步骤：(1)将光敏剂原料置于预处理后的升华设备的腔体内，于真空度0.01‑10Pa进行第一次升华，得到光敏剂粗品；(2)取出光敏剂粗品，通入氩气使腔体内恢复至常压，然后再次将升华设备进行预处理，将所述光敏剂粗品置于预处理后的腔体内，于真空度1.0×10‑4‑1.0×10‑6Pa进行第二次升华，得到高纯光敏剂。本发明还提供由所述制备方法得到的高敏光刻胶及其应用。本发明采用多次升华工艺、并控制升华的真空度制备高纯光敏剂，制得的高纯光敏剂可用于配制光刻胶，制得的光刻胶显影完全，可有效提高芯片制程的良率。
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公开(公告)号：CN114326303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111602035.9
申请日：2021-12-24
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高敏光刻胶及其制备方法与应用。所述高纯光敏剂的制备方法包括如下步骤：(1)将光敏剂原料置于预处理后的升华设备的腔体内，于真空度0.01‑10Pa进行第一次升华，得到光敏剂粗品；(2)取出光敏剂粗品，通入氩气使腔体内恢复至常压，然后再次将升华设备进行预处理，将所述光敏剂粗品置于预处理后的腔体内，于真空度1.0×10‑4‑1.0×10‑6Pa进行第二次升华，得到高纯光敏剂。本发明还提供由所述制备方法得到的高敏光刻胶及其应用。本发明采用多次升华工艺、并控制升华的真空度制备高纯光敏剂，制得的高纯光敏剂可用于配制光刻胶，制得的光刻胶显影完全，可有效提高芯片制程的良率。
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公开(公告)号：CN112670221A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011526943.X
申请日：2020-12-22
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明适用硅片转移技术领域，提供了一种硅片转移装置，包括：底座；设置于底座上、用于放置硅片盒的支架；活动设置于底座上的支撑板，支撑板可相对底座向支架的方向移动或向远离支架的方向移动；支撑于支撑板上、并可相对支撑板升降的支撑主轴；以及与支撑主轴形成转动连接的多层硅片载台，多层硅片载台沿支撑主轴的轴向彼此间隔设置并可分别绕支撑主轴转动。本发明提供的硅片转移装置可以实现硅片盒内的硅片批量转移，方便将硅片盒内的硅片批量转移到另外的硅片盒或将硅片盒内的硅片批量转移出来进行硅片的表面观察检查，无需人工手动逐一将硅片盒内的硅片取出，方便用户使用，且结构简单轻巧，便于携带使用，生产成本低。
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公开(公告)号：CN114292353A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111608869.0
申请日：2021-12-27
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
摘要： 本发明适用于功能高分子材料领域，提供了一种可用于规模化生产ArF光刻胶树脂的制备工艺，包括：(1)清洗微通道反应设备；(2)设定微通道反应器加热温度为60‑80℃，分别开启溶剂进料泵、丙烯酸酯单体进料泵和偶氮二甲酯类引发剂进料泵；(3)反应液进入微通道反应器后，通过阀门控制管路压力为1‑5MPa；(4)在取样口接收反应液样品进行在线分析，检测结果合格后，将终端阀门切换至产品罐，反应结束后关闭管路阀门。本发明由于采用特殊的引发剂偶氮二甲酯类引发剂结合使用微通道反应设备，合理控制流速、温度和压力，制备的ArF光刻胶树脂分子量分布极低，可以达到1.1以下，单金杂0.5ppb以下。而且本发明制备工艺可规模化生产，产品质量可靠。
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公开(公告)号：CN114292353B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111608869.0
申请日：2021-12-27
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
摘要： 本发明适用于功能高分子材料领域，提供了一种生产ArF光刻胶树脂的制备工艺，包括：清洗微通道反应设备；设定微通道反应器加热温度为60‑80℃，分别开启溶剂进料泵、丙烯酸酯单体进料泵和偶氮二甲酯类引发剂进料泵；反应液进入微通道反应器后，通过阀门控制管路压力为1‑5MPa；在取样口接收反应液样品进行在线分析，检测结果合格后，将终端阀门切换至产品罐，反应结束后关闭管路阀门。本发明由于采用特殊的引发剂偶氮二甲酯类引发剂结合使用微通道反应设备，合理控制流速、温度和压力，制备的ArF光刻胶树脂分子量分布极低，可以达到1.1以下，单金杂0.5ppb以下。而且本发明制备工艺可生产，产品质量可靠。
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公开(公告)号：CN114085311B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111654931.X
申请日：2021-12-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/004
摘要： 本发明提供了一种制备高纯光刻胶树脂的方法，属于光刻胶技术领域。所述制备高纯光刻胶树脂的方法是，反应单体在溶剂、引发剂存在的条件下发生聚合反应，通过分阶段控制反应条件，制备了高纯光刻胶树脂，特别是通过高压条件，进一步提高了反应温度，提高了树脂的转化率，降低了单体杂质的含量，提高了树脂的纯度，并且在树脂制备阶段就将单体杂质的含量控制在极低的范围内，本发明方法解决了现有光刻胶树脂制备方法中单体杂质含量高的问题，以及制备后需要进一步纯化的问题。
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公开(公告)号：CN112756224A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011578407.4
申请日：2020-12-28
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： B05C17/00
摘要： 本发明适用于光刻胶涂胶设备领域，提供了一种手动涂胶协助装置，其包括固定支架、倾斜固定在该固定支架上的试管、分别固定在该试管两端且与该试管相连通的漏斗和滴管。本发明的手动涂胶协助装置，在涂胶时，将胶体装入漏斗内，胶体在自身重力的作用下，通过试管流入滴管，再在自身重力作用下滴在基材表面，如此，涂胶的速率均衡，因此，基材表面胶体涂布均匀。此外，使用本发明的手动涂胶协助装置时，不需要实验者将手伸入机台内部进行涂胶，因此，不存在胶体溅出而对实验者造成伤害的情况。
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公开(公告)号：CN117659256A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311551224.7
申请日：2023-11-20
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/14 , C08F220/18 , G03F7/004
摘要： 本发明属于化工技术领域，提供了一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂及其制备方法和应用。本发明将树脂单体、主引发剂置于溶剂中溶解并在加热条件下发生自由基聚合反应，在反应后期加入副引发剂，促使自由基聚合反应更均一，得到了一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂；将该树脂用于光刻胶中，有利于光刻胶的显影对比度。
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公开(公告)号：CN114326305A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111676666.5
申请日：2021-12-31
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种具有低边缘粗糙度的ArF光刻胶，其特征在于包括按质量百分表计的下列组份：ArF光敏剂(0.01‑0.1％)；丙二醇甲醚醋酸酯(90‑95％)；丙烯酸树脂(4‑8％)；淬灭剂(0.001‑0.01％)；添加剂(0.01‑0.1％)；其中，原料中的各组分总金属离子小于100ppb。
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公开(公告)号：CN114085311A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111654931.X
申请日：2021-12-30
申请人： 宁波南大光电材料有限公司
IPC分类号： C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/004
摘要： 本发明提供了一种制备高纯光刻胶树脂的方法，属于光刻胶技术领域。所述制备高纯光刻胶树脂的方法是，反应单体在溶剂、引发剂存在的条件下发生聚合反应，通过分阶段控制反应条件，制备了高纯光刻胶树脂，特别是通过高压条件，进一步提高了反应温度，提高了树脂的转化率，降低了单体杂质的含量，提高了树脂的纯度，并且在树脂制备阶段就将单体杂质的含量控制在极低的范围内，本发明方法解决了现有光刻胶树脂制备方法中单体杂质含量高的问题，以及制备后需要进一步纯化的问题。
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