本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构‑第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出，缓解有源区应力，提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子，提高光增益，达到了降低阈值电流，提高斜率效率的目的，从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流，减少了热量的产生。