发明授权
- 专利标题: 发光器件及其制备方法、发光装置
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申请号: CN202210109375.6申请日: 2022-01-28
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公开(公告)号: CN114447173B公开(公告)日: 2024-04-16
- 发明人: 杨山伟 , 马俊杰 , 卢元达 , 孙元浩 , 赵加伟 , 熊志军 , 李雪峤
- 申请人: 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市北京经济技术开发区西环中路8号;
- 专利权人: 京东方晶芯科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方晶芯科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市北京经济技术开发区西环中路8号;
- 代理机构: 北京润泽恒知识产权代理有限公司
- 代理商 张翠蓬
- 主分类号: H01L33/36
- IPC分类号: H01L33/36 ; H01L33/00 ; H01L23/544
摘要:
发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括:外延层,设置在外延层同一侧的至少一个器件电极,以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极;其中,测试电极与器件电极对应连接,测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接,并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积,因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极,从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试,提高测试的准确性,降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
公开/授权文献
- CN114447173A 发光器件及其制备方法、发光装置 公开/授权日:2022-05-06
IPC分类: