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公开(公告)号：CN117995864A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211338968.6
申请日：2022-10-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种显示面板以及显示装置。该显示面板包括基板以及设置于基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；LED芯片包括P型电极和N型电极，P型电极与第一电极连接，N型电极与第二电极连接；驱动电路包括第一和第二电流端，第一电流端与第一电极连接，第二电流端与第二电极连接；分流电阻与LED芯片并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片的电流小于LED芯片的起亮电流。通过在LED芯片两端并联一个分流电阻，减小流过LED芯片的电流，从而改善显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。
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公开(公告)号：CN114447174B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210114097.3
申请日：2022-01-30
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，涉及显示技术领域，该发光芯片外延片可以在巨量转移前对发光芯片实现较为精确、快速的批量检测。该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘。
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公开(公告)号：CN117730275A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280001471.7
申请日：2022-05-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： G02F1/13357 , H01L27/15 , F21V23/06 , H05K1/11
摘要： 一种发光基板(01)以及显示装置(1000)。发光基板(01)包括基板(101)、反射层(100)、至少一个焊盘(201)、发光元件(102)以及连接部(105)。其中，反射层(100)包括在第一方向(X)上最大尺寸为H1的开口(103)；发光元件(102)包括在第二方向(Y)上间隔设置的第一电极(202)和第二电极(203)，且第一电极(202)或第二电极(203)在第一方向(X)上的最大尺寸为第一尺寸K1；连接部(105)包括边缘弧度区(150)，在第一方向(X)上的最大尺寸为M；至少一个焊盘(201)包括第一焊盘(204)，第一焊盘(204)包括第一尺寸部(205)，第一尺寸部(205)在第一方向(X)上与开口(103)的最小距离为第二尺寸K2，满足：K2≤0.5H1‑0.5(K1+2M)，且50μm≤H1‑2K2‑K1≤100μm。通过对发光基板(01)中反射层(100)的开口(103)与焊盘(201)的配合尺寸进行优化，可减小反射层(100)发生渗金现象的风险，同时还可以避免发光元件(102)发生侧倾斜，从而提高显示产品的光学性能。
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公开(公告)号：CN116368629A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003142.1
申请日：2021-10-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 一种发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法，发光器件包括衬底、设置在所述衬底上的发光功能层，以及设置在所述衬底上将至少部分所述发光功能层覆盖的反射层，所述反射层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层沿所述衬底厚度方向叠层设置，所述第一材料层包括原子晶体材料，所述第一材料层位于所述第二材料层远离所述衬底的一侧，所述第一材料层远离所述第二材料层的一侧的表面形成为所述反射层远离所述衬底一侧的表面。
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公开(公告)号：CN116368615A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003200.0
申请日：2021-10-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L23/488
摘要： 本公开提供了一种发光器件、发光模组及其制备方法。该发光器件包括：发光结构；电极结构，设于所述发光结构上；固晶结构，所述固晶结构的至少部分区域覆盖所述电极结构背向所述发光结构的表面，所述固晶结构中包括掺杂材料，所述掺杂材料用于抑制金属间化合物的生成。本公开能够提高固晶返修良率和降低显示模组失效风险。
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公开(公告)号：CN114447174A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210114097.3
申请日：2022-01-30
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，涉及显示技术领域，该发光芯片外延片可以在巨量转移前对发光芯片实现较为精确、快速的批量检测。该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘。
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公开(公告)号：CN114624915B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210389720.6
申请日：2022-04-13
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/13357 , G09F9/35
摘要： 本公开实施例提供一种显示模组及其制作方法、显示设备，其中，显示模组包括：驱动背板；多个发光单元，各发光单元均设置在驱动背板的一侧；中框，围绕驱动背板的外周边缘设置，且多个发光单元位于中框的内侧，中框包括朝向多个发光单元一侧的内侧面，内侧面中的至少一部分被配置成朝向多个发光单元一侧凸出的凸出部。本公开实施例的技术方案可以有效提升显示模组边缘视效，避免产生边缘发暗的现象，提高整个显示模组的画面均一性，进而有效提升用户体验。
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公开(公告)号：CN114447173B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210109375.6
申请日：2022-01-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L23/544
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
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公开(公告)号：CN116391265A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180002744.5
申请日：2021-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 提供了一种发光器件、发光基板和显示装置。发光器件包括：衬底(1)；第一半导体层(21)，第一半导体层(21)位于衬底(1)的一侧；发光层(3)，发光层(3)位于第一半导体层(21)背离衬底(1)的一侧；第二半导体层(22)，第二半导体层(22)位于发光层(3)背离第一半导体层(21)的一侧，第一半导体层(21)为N型半导体层、P型半导体层中的一者，第二半导体层(22)为N型半导体层、P型半导体层中的另一者；第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影面积小于发光层(3)在衬底(1)的正投影面积，且第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影位于发光层(3)在衬底(1)的正投影内。
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公开(公告)号：CN114624915A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210389720.6
申请日：2022-04-13
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/13357 , G09F9/35
摘要： 本公开实施例提供一种显示模组及其制作方法、显示设备，其中，显示模组包括：驱动背板；多个发光单元，各发光单元均设置在驱动背板的一侧；中框，围绕驱动背板的外周边缘设置，且多个发光单元位于中框的内侧，中框包括朝向多个发光单元一侧的内侧面，内侧面中的至少一部分被配置成朝向多个发光单元一侧凸出的凸出部。本公开实施例的技术方案可以有效提升显示模组边缘视效，避免产生边缘发暗的现象，提高整个显示模组的画面均一性，进而有效提升用户体验。
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