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公开(公告)号：CN117157773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280000610.4
申请日：2022-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 提供了一种发光二极管芯片，包括：基底；设置在基底上的至少两个发光单元，包括相邻的第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元和第二发光单元中的每一个包括：设置在基底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离基底的发光层；和设置在发光层远离基底的第二半导体层，其中，发光二极管芯片还包括导电的桥接部，桥接部用于电连接第一发光单元的第二半导体层与第二发光单元的第一半导体层；第一发光单元包括靠近第二发光单元的第一侧壁，桥接部包括设置在第一发光单元的第一侧壁上的倾斜连接部，倾斜连接部相对于基底的朝向至少两个发光单元的表面倾斜；以及发光二极管芯片还包括第一绝缘层，第一绝缘层包括被夹在第一发光单元的第一侧壁与倾斜连接部之间的倾斜部，倾斜部的至少一部分相对于基底的朝向至少两个发光单元的表面以倾斜角度θ倾斜，倾斜角度θ≤60°。
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公开(公告)号：CN113675305B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110961540.6
申请日：2021-08-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种发光二极管芯片和显示装置。发光二极管芯片包括：基底；发光结构，位于基底的一侧；第一电极和第二电极，位于发光结构背离基底的一侧，第一电极和第二电极分别与发光结构连接，发光结构配置为在第一电极和第二电极的电压差作用下产生光线；发光二极管芯片的发光中心相对于基底的几何中心存在预设偏移量，发光二极管芯片的发光中心为发光结构的发光区域在基底上的正投影的几何中心。本公开实施例的技术方案，在将LED芯片设置在背板上时，可以使得像素内子像素的发光中心更加集中，使得像素发光面积更集中，减小目视的差异性，提高显示效果；另外，可以减小像素间距，提高显示装置的分辨率。
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公开(公告)号：CN114447173A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210109375.6
申请日：2022-01-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L23/544
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
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公开(公告)号：CN118315505A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310027023.0
申请日：2023-01-09
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例涉及显示技术领域，公开了一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延层，设置在所述衬底的一侧；电极层，设置在所述外延层背离所述衬底的一侧，包括相互分隔开的第一电极和第二电极；以及第一绝缘层，设置在所述外延层背离所述衬底的一侧，至少位于所述第一电极与所述第二电极之间。
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公开(公告)号：CN118173694A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211542806.4
申请日：2022-12-02
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/00
摘要： 本申请提供一种发光芯片及其制备方法、发光基板及显示装置。所述发光芯片包括衬底、位于所述衬底上的至少两个发光单元、位于所述衬底上的多个连接走线及多个导电垫。所述发光单元包括至少两个发光颜色不同的发光元件。所述至少两个发光单元中，发光颜色相同的发光元件通过所述连接走线串联，且所述连接走线的一端连接至一个所述导电垫，所述连接走线的另一端连接至一个所述导电垫。所述发光基板包括多个所述发光芯片。所述显示装置包括所述发光基板。
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公开(公告)号：CN117995864A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211338968.6
申请日：2022-10-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种显示面板以及显示装置。该显示面板包括基板以及设置于基板的LED芯片、第一电极、第二电极、驱动电路和分流电阻；LED芯片包括P型电极和N型电极，P型电极与第一电极连接，N型电极与第二电极连接；驱动电路包括第一和第二电流端，第一电流端与第一电极连接，第二电流端与第二电极连接；分流电阻与LED芯片并联在第一电流端和第二电流端之间，分流电阻配置为在0灰阶下，使得流过LED芯片的电流小于LED芯片的起亮电流。通过在LED芯片两端并联一个分流电阻，减小流过LED芯片的电流，从而改善显示面板在0灰阶下出现弱亮的问题。
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公开(公告)号：CN114447174B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210114097.3
申请日：2022-01-30
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光芯片外延片、检测系统及检测方法，涉及显示技术领域，该发光芯片外延片可以在巨量转移前对发光芯片实现较为精确、快速的批量检测。该发光芯片外延片包括：衬底以及设置在所述衬底上的阵列排布的多个区块，所述区块包括设置在所述衬底上的多个电极层，所述电极层包括相互绝缘的第一电极和第二电极；各所述区块内的所有所述第一电极电连接、且所有所述第二电极相互绝缘；相邻所述区块间的所述第一电极相互绝缘。
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公开(公告)号：CN114914334A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110178736.8
申请日：2021-02-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/62 , H01L25/16 , H01L25/075
摘要： 本公开实施例提供一种发光芯片以及发光基板，发光芯片包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的至少两个子发光芯片，所述子发光芯片包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层；降低成本，减少线路的电流，降低功耗。
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公开(公告)号：CN116368629A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003142.1
申请日：2021-10-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 一种发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法，发光器件包括衬底、设置在所述衬底上的发光功能层，以及设置在所述衬底上将至少部分所述发光功能层覆盖的反射层，所述反射层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层沿所述衬底厚度方向叠层设置，所述第一材料层包括原子晶体材料，所述第一材料层位于所述第二材料层远离所述衬底的一侧，所述第一材料层远离所述第二材料层的一侧的表面形成为所述反射层远离所述衬底一侧的表面。
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公开(公告)号：CN116368615A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003200.0
申请日：2021-10-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L23/488
摘要： 本公开提供了一种发光器件、发光模组及其制备方法。该发光器件包括：发光结构；电极结构，设于所述发光结构上；固晶结构，所述固晶结构的至少部分区域覆盖所述电极结构背向所述发光结构的表面，所述固晶结构中包括掺杂材料，所述掺杂材料用于抑制金属间化合物的生成。本公开能够提高固晶返修良率和降低显示模组失效风险。
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