Invention Grant
- Patent Title: 基于硫化锡基材料修饰的QCM传感器及其制备方法
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Application No.: CN202210068346.XApplication Date: 2022-01-20
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Publication No.: CN114527028BPublication Date: 2024-05-28
- Inventor: 王俊 , 周芩安 , 韦真博 , 王永维
- Applicant: 浙江大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Assignee: 浙江大学
- Current Assignee: 浙江大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- Agency: 杭州求是专利事务所有限公司
- Agent 林松海
- Main IPC: G01N5/00
- IPC: G01N5/00 ; G01N5/02
Abstract:
本发明涉及气体传感器领域，公开了一种基于硫化锡基材料修饰的QCM传感器及其制备方法。该QCM传感器的制备方法如下：首先采用溶剂热法合成了不同锡硫摩尔比例的硫化锡基材料，采用滴涂法将硫化锡基材料的分散液修饰在QCM金电极表面，构建了硫化锡基材料修饰的QCM传感器。获得的QCM传感器在室温下实现一定浓度范围内的三甲胺气体的检测，具有较好的选择性和较高的灵敏度。
Public/Granted literature
- CN114527028A 基于硫化锡基材料修饰的QCM传感器及其制备方法 Public/Granted day:2022-05-24
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