本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体栅极结构及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成栅极沟槽；在该栅极沟槽内壁形成栅介质层；在栅介质层上形成堆叠的多层金属阻挡层，每层金属阻挡层包括依次形成的TiN层和TiON层；在所述多层金属阻挡层上形成金属栅，采用堆叠形成TiN层和TiON层的多层金属阻挡层，不仅使得该金属阻挡层的厚度足够薄，同时，还能提高阻挡性能，以免在形成金属栅时产生的含氟气体对栅介质层造成侵蚀和破坏，进而提高了器件性能。