本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。