本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。该氮化镓器件制备简单，能提升氮化镓电子器件在大信号和大功率工作状态下线性度。