公开(公告)号：CN114628513B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111301490.5

申请日：2021-11-04

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  魏珂 ,  蒋其梦 ,  殷海波 ,  樊捷 ,  邓可心 ,  景冠军

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。该氮化镓器件制备简单，能提升氮化镓电子器件在大信号和大功率工作状态下线性度。

公开(公告)号：CN114628513A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111301490.5

申请日：2021-11-04

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  魏珂 ,  蒋其梦 ,  殷海波 ,  樊捷 ,  邓可心 ,  景冠军

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法，属于氮化镓半导体领域，解决现有氮化镓器件制备复杂、成本高问题。氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。该氮化镓器件制备简单，能提升氮化镓电子器件在大信号和大功率工作状态下线性度。