公开(公告)号：CN118486704A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410673681.1

申请日：2024-05-28

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  田野 ,  黄森 ,  魏珂

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/373 ,  H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种半导体复合材料及其制备方法与器件，属于半导体技术领域，用以解决现有GaN器件近结区域散热效率低、晶圆键合引起界面热阻高等问题中的至少一个。本发明设计了一种新结构的半导体复合材料，所述的复合材料通过晶圆键合将斜切衬底层和GaN材料层连接，避免引入缓冲层结构，斜切衬底层与衬底材料轴存在夹角，形成具有转角的斜切衬底层，带有转角的斜切衬底层与GaN材料层通过晶圆键合，可以降低晶圆键合后键合界面的界面热阻能够有效的提高GaN大功率器件散热效率，进而提升其输出功率密度。

公开(公告)号：CN118083959A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410196464.8

申请日：2024-02-22

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 孙兵 ,  常亚款 ,  常虎东 ,  魏珂 ,  王鑫华

IPC分类号： C01B32/168 ,  H10K71/00 ,  H10K85/20 ,  C01F17/218 ,  C01F17/10

摘要： 本发明涉及一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中去除碳纳米管表面聚合物的方法会引入较多的缺陷的问题。所述方法包括：步骤1：采用热模式原子层沉积方法在衬底表面的碳纳米管薄膜上生长一层氧化钇薄膜；步骤2：采用稀盐酸腐蚀掉步骤1中生长的氧化钇薄膜。本发明的方法减少缺陷的引入，提高碳纳米管场效应晶体管界面电学特性。

公开(公告)号：CN113271067B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202110614139.5

申请日：2021-06-02

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 罗卫军 ,  夏志颖 ,  闫伟 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  魏珂 ,  金智 ,  刘新宇

IPC分类号： H03F1/07

摘要： 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。

公开(公告)号：CN117672847A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211029060.7

申请日：2022-08-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 姬源 ,  黄森 ,  刘新宇 ,  蒋其梦 ,  王鑫华 ,  魏珂

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供了一种晶体管欧姆接触的制备方法及晶体管欧姆接触器件，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成超薄势垒层；在势垒层上形成金属堆栈图案；对金属堆栈图案进行高温退火处理，使金属堆栈图案与势垒层之间欧姆接触；在势垒层及金属堆栈图案的表面形成双层钝化层恢复沟道2DEG。通过优化工艺顺序，在形成金属堆栈图案之后，先做高温退火处理实现超低电阻的欧姆接触，之后在势垒层及金属堆栈图案表面形成钝化层做钝化处理，可以避免高温退火损坏钝化层，有利于提高Al(In,Ga)N/GaN HEMT的频率特性，为增强型射频器件功率器件的产业化提供了可行性方案，为高频增强型射频器件的制造奠定工艺基础，拓宽Al(In,Ga)N/GaN HEMT在微波射频领域的应用。

公开(公告)号：CN117672832A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211050396.1

申请日：2022-08-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王建超 ,  魏珂 ,  张睿哲 ,  张昇 ,  张一川 ,  何晓强 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC分类号： H01L21/28

摘要： 本发明提供一种栅极结构的制备方法，该制备方法包括：在基片上涂第一光刻胶，形成第一光刻层；在第一光刻层上形成第一刻蚀窗口，第一刻蚀窗口定义基础栅极结构的形状和位置；在第一刻蚀窗口内形成基础栅极结构；涂覆第二光刻胶，形成第二光刻层，第二光刻层覆盖基础栅极结构；去除基础栅极结构正上方的第二光刻胶，形成第二刻蚀窗口，第二刻蚀窗口定义加厚栅极结构的形状和位置；利用化学镀金法在第二刻蚀窗口内形成加厚栅极结构；清除基片上所有的光刻胶。本发明能够在增加栅极厚度的同时，降低器件的制备成本，提高器件的成品率。

公开(公告)号：CN117393581A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311358353.4

申请日：2023-10-19

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 黄森 ,  冯超 ,  栾田田 ,  蒋其梦 ,  魏珂 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供一种MIS晶体管，包括：GaN缓冲层；AlGaN势垒层，形成在GaN缓冲层表面，与GaN缓冲层构成形成AlGaN/GaN异质结；其中，AlGaN势垒层与GaN缓冲层表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层，设置在二维电子沟道区域，其中，在MIS晶体管未增加栅极电压时，二维电子气层在二维电子沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层，形成在AlGaN势垒层表面，使二维电子气在二维电子沟道区域的第一范围外为电子积累状态。本发明通过AlGaN势垒层实现了电子的本征耗尽，通过AlN极化增强插入层来恢复电子积累状态，使得MIS晶体管实现了增强型，并具有、高性能、高稳定性和高均匀性。

公开(公告)号：CN116666199B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310960260.2

申请日：2023-08-02

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王鑫华 ,  邢湘杰 ,  高润华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  魏珂

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有碳化硅晶圆与金刚石直接键合后高温退火剥离薄膜时存在高应力的问题和键合界面漏电问题。该制造方法包括：向体SiC的表面垂直注入H离子；对体SiC离子注入面表面进行光滑化、原子原位沉积与活化，对Si衬底的表面进行表面活化；将体SiC离子注入面与Si衬底的活化面键合，形成体SiC/Si复合衬底；对体SiC/Si复合衬底进行高温退火，SiC薄膜从体SiC上剥离，与Si衬底构成SiC/Si复合载体；对Si衬底上SiC薄膜表面进行光滑化；将Si衬底上SiC表面与金刚石衬底键合；去除Si衬底。本发明有效解决了金刚石与SiC键合后的高温剥离退火工艺带来的高应力。

公开(公告)号：CN115966603A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111177142.1

申请日：2021-10-09

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 何晓强 ,  魏珂 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  黄森 ,  王鑫华 ,  张一川 ,  张昇 ,  张睿哲

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种高线性HEMT器件及其制备方法，旨在提高HEMT器件的线性度，从结构优化的途径来尽量避免因器件非线性因素所带来的跨导滚降，以及跨导导数变化过大造成跨导尖峰现象等非线性问题。本发明的第一方面提供一种高线性HEMT器件，包括：衬底，以及在所述衬底上由下至上依次堆叠的成核层、缓冲层、势垒层和钝化层；其中，所述钝化层设有栅槽，所述栅槽底部位于所述势垒层中，所述栅槽内设置有栅极；所述栅极的两侧分别设有源极和漏极，源极和漏极均与所述缓冲层欧姆接触；所述栅槽的底部具有以下形状：沿所述栅极的宽度方向，栅槽的底部呈凹凸不平状，由凹单元和凸单元间隔分布，且呈规律的周期性变化分布。

公开(公告)号：CN112802748B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202011642789.2

申请日：2020-12-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 康玄武 ,  赵志波 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/335

摘要： 本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O2、N2、Ar中的一种或几种，温度范围为300℃～550℃，退火所用时间范围为60s～180s。本公开工艺简单，降低漏电流效果明显，能够显著提升器件的电学性能。

公开(公告)号：CN111509036B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202010369832.6

申请日：2020-04-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  蒋浩杰 ,  魏珂 ,  殷海波 ,  樊捷

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si2N2O层和位于(Al,In)GaN基板与Si2N2O层之间的Ga2O3层；(Al,In)GaN为GaN、Al1‑mGamN、In1‑mGamN或AlnIn1‑m‑nGamN，0＜m≤1，0≤n＜1。本发明有效降低界面态密度，有利于解决长期困扰III族氮化物(III‑N)体系的界面态问题，推动III‑N电子器件的规模化和实用化。