本发明公开了一种场效应晶体管、低功耗CMOS集成芯片、电路及设备。所述场效应晶体管其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有可移动离子。所述可移动离子在电场下的迁移会在界面处产生偶极子；所述偶极子在电场转向时发生反转，使得所述场效应晶体管具有负电容特性而能实现超陡峭亚阈值摆幅。本发明可以利用栅介质中可移动离子实现超陡峭亚阈值摆幅晶体管，这可用于低功耗CMOS集成芯片。