一种改变半导体材料PN型的制备方法，涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同PN特性的半导体薄膜。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构，能够实现同一块靶材通过控制制备条件改变其薄膜的PN型的目的。