本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极，利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移，该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低，从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点，提高了响应度和增益，通过GaN断开2DEG导电通道，降低了器件的暗电流，提高了光暗电流比，有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外，本发明的制造工艺简单，便于单片集成，进而能够实现光学传感系统的芯片集成。