-
公开(公告)号：CN111189486B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010103958.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其为一种垂直片状结构半导体传感器保护装置，包括框架和传感器本体，所述传感器本体的外侧设有框架，所述框架的后端面内侧螺纹连接有螺丝钉，所述螺丝钉的外侧设有固定板，所述固定板的一端固定连接有连接板，所述连接板的内侧设有限位杆，位于左端面的所述连接板的内侧设有螺纹杆，位于右端面的所述连接板的内侧设有套管，所述螺纹杆和套管的一端均固定连接有挡板，所述挡板的另一端固定连接有转盘，所述框架的内侧固定连接有第一弹簧，通过设置的第一弹簧和防护角，能够对传感器本体进行缓冲，有利于对传感器本体进行防护，便于对传感器本体进行使用，有效的提高了传感器本体的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114678439B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210244562.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极，利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移，该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低，从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点，提高了响应度和增益，通过GaN断开2DEG导电通道，降低了器件的暗电流，提高了光暗电流比，有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外，本发明的制造工艺简单，便于单片集成，进而能够实现光学传感系统的芯片集成。
-
公开(公告)号：CN115652276B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211404269.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过在二维半导体性过渡金属硫属化合物二元合金薄膜CVD生长过程中引入VB族过渡金属元素(如V，Nb或Ta)掺杂，调控VB族与VIB族过渡金属元素之间的比例，生成一种在空气中更稳定的二维金属性过渡金属硫属化合物三元合金薄膜。这种制备方法能有效解决二维金属性二元合金薄膜制备过程中由于VB族过渡金属氧化物源粉饱和蒸气压低而导致的源粉蒸气不足问题，变二元薄膜生长为三元薄膜生长，利用VIB族过渡金属元素氧化物饱和蒸气压高的特点，保证金属性三元合金薄膜生长过程中源粉蒸气的充足，从而实现一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜材料的轻松制备。
-
公开(公告)号：CN115652276A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211404269.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。通过在二维半导体性过渡金属硫属化合物二元合金薄膜CVD生长过程中引入VB族过渡金属元素(如V，Nb或Ta)掺杂，调控VB族与VIB族过渡金属元素之间的比例，生成一种在空气中更稳定的二维金属性过渡金属硫属化合物三元合金薄膜。这种制备方法能有效解决二维金属性二元合金薄膜制备过程中由于VB族过渡金属氧化物源粉饱和蒸气压低而导致的源粉蒸气不足问题，变二元薄膜生长为三元薄膜生长，利用VIB族过渡金属元素氧化物饱和蒸气压高的特点，保证金属性三元合金薄膜生长过程中源粉蒸气的充足，从而实现一种金属性过渡金属硫属化合物薄膜材料的轻松制备。
-
公开(公告)号：CN114678439A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210244562.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种对称叉指结构的2DEG紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和金属电极层。本发明采用具有对称叉指结构2DEG电极，利用AlGaN/GaN异质结构中的价带偏移，该界面上的空穴积累导致电子进入导带的势垒能降低，从而解决了传统器件结构紫外探测器的低响应和低量子效率的缺点，提高了响应度和增益，通过GaN断开2DEG导电通道，降低了器件的暗电流，提高了光暗电流比，有效地减少了响应时间、同时提升了器件灵敏度和信噪比。此外，本发明的制造工艺简单，便于单片集成，进而能够实现光学传感系统的芯片集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111189486A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010103958.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其为一种垂直片状结构半导体传感器保护装置，包括框架和传感器本体，所述传感器本体的外侧设有框架，所述框架的后端面内侧螺纹连接有螺丝钉，所述螺丝钉的外侧设有固定板，所述固定板的一端固定连接有连接板，所述连接板的内侧设有限位杆，位于左端面的所述连接板的内侧设有螺纹杆，位于右端面的所述连接板的内侧设有套管，所述螺纹杆和套管的一端均固定连接有挡板，所述挡板的另一端固定连接有转盘，所述框架的内侧固定连接有第一弹簧，通过设置的第一弹簧和防护角，能够对传感器本体进行缓冲，有利于对传感器本体进行防护，便于对传感器本体进行使用，有效的提高了传感器本体的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN117673188A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653005.X
申请日：2023-12-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、Al0.4Ga0.6N有源层、Al0.55Ga0.45N势垒层和金属电极层。本发明通过仅在一侧的电极与Al0.4Ga0.6N有源层之间插入Al0.55Ga0.45N势垒层，构成不对称的MSM结构，利用不同的势垒高度诱导能带弯曲，形成不对称的能带，显著促进光生载流子的分离和输运，从而解决了对称MSM结构探测器高功耗的问题，实现了自驱动特性。形成的不对称的异质结构，增强了Al0.4Ga0.6N层的极化场，进而增加光电流的产生，大幅度提高了0V下的响应度。此外，本发明的制造的外延结构螺位错密度较低，从而器件获得超低的暗电流，提高了器件的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN117293199A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311254495.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非对称叉指结构的自驱动GaN基紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、非故意掺杂GaN层、低温掺碳GaN层、GaN吸收层、AlN间隔层、AlGaN势垒层、GaN盖帽层和金属电极层。本发明的非对称叉指结构利用AlGaN/GaN异质结构中的极化效应，使得金属电极间的能带形成不对称的分布特征。器件在无偏置电压情况下也对能对紫外信号进行探测，即器件实现了自驱动功能。所述金属电极间的能带分布具有强的不对称性，这极有利于载流子的输运，从而解决了载流子输运效率低的问题，使器件表现出高的光电流和高响应。
-
公开(公告)号：CN114823892A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210396624.4
申请日：2022-04-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，降低了器件的生产成本。
-
公开(公告)号：CN111141884B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010103959.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 江南大学
IPC: G01N33/18
Abstract: 本发明涉及微流控场效应管的饮用水传感设备技术领域，尤其为一种微流控场效应管的饮用水传感设备用检测装置，包括储液箱，所述储液箱左侧固定连接有连接管，所述连接管左侧固定连接有水泵输入端，所述水泵输出端固定连接有输入管，所述输入管顶端固定连接有支架，所述支架内侧通过转轴转动连接有拨杆，所述拨杆前端面通过转轴转动连接有转块，本发明中，通过设置的拨杆、弹簧、密封杆、限位杆和密封环，向右转动拨杆，带动套管向右运动，套管将传感器顶住固定，完成对传感器的安装，提高装置安装槽传感器的便捷性，提高装置安装效率，方便装置进行检测作业，提高装置检测效率，操作简单，省时省力，减少人工成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.02 seconds)
