Invention Grant
- Patent Title: 双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片
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Application No.: CN202210875537.7Application Date: 2022-07-25
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Publication No.: CN114937695BPublication Date: 2022-10-21
- Inventor: 陈燕宁 , 赵东艳 , 王于波 , 董广智 , 付振 , 刘芳 , 余山 , 郁文 , 邓永峰 , 王凯
- Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
- Applicant Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee: 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层;
- Agency: 北京润平知识产权代理有限公司
- Agent 李红
- Main IPC: H01L29/423
- IPC: H01L29/423 ; H01L29/08 ; H01L29/10 ; H01L29/78 ; H01L27/088 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L21/8234
Abstract:
本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片,属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构;栅极结构设置在半导体衬底上方,且栅极结构的下表面一端与第一体区相接,另一端与第一漂移区相接;栅极结构的上表面一端与第二体区相接,另一端与第二漂移区相接;第二体区位于第一体区上方;第二漂移区位于第一漂移区上方;第一漏极区形成在第一漂移区内,第二漏极区形成在第二漂移区内;第一源极区形成在第一体区内,第二源极区形成在第二体区内;第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通,第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。
Public/Granted literature
- CN114937695A 双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片 Public/Granted day:2022-08-23
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IPC分类: