双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片
Abstract:
本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片,属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构;栅极结构设置在半导体衬底上方,且栅极结构的下表面一端与第一体区相接,另一端与第一漂移区相接;栅极结构的上表面一端与第二体区相接,另一端与第二漂移区相接;第二体区位于第一体区上方;第二漂移区位于第一漂移区上方;第一漏极区形成在第一漂移区内,第二漏极区形成在第二漂移区内;第一源极区形成在第一体区内,第二源极区形成在第二体区内;第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通,第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。
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